Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

1 Elektronika Dasar (Minggu 8) Transistor Bipolar.

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "1 Elektronika Dasar (Minggu 8) Transistor Bipolar."— Transcript presentasi:

1 1 Elektronika Dasar (Minggu 8) Transistor Bipolar

2 Transistor Bipolar sebagai Amplifier Tentukan nilai V CEQ, v CE, I BQ i b,I CQ dan i C dengan nilai v s dibuat sedemikian rupa sehingga i bm = I bm sin ωt = 20 sin ωt μA untuk : a. β F = 100; β o = 100; b. β F = 200; β o = 200; 2

3 Transistor Bipolar Transistor Bipolar sebagai Amplifier ((β F = 100; β o = 100;) Ditentukan v s sehingga i bm = I bm sin ωt = 20 sin ωt μA Pada v s = 0 (Q pada daerah aktif) dan β F = 100; 3

4 Transistor Bipolar Pada v s ≠ 0 ; (Vcc = 0) (dengan mempergunakan superposisi), dan jika diketahui nilai β F ≈100 dan β o ≈100 maka : i b = I B + i bm = sin ωt 4

5 Transistor Bipolar Transistor Bipolar sebagai Amplifier (β F = 200; β o = 200;) Ditentukan v s sehingga i bm = I bm sin ωt = 20 sin ωt μA Pada v s = 0 (Q pada daerah aktif) dan β F = 200; 5

6 Transistor Bipolar Pada v s ≠ 0 ; (Vcc = 0) (dengan mempergunakan superposisi), dan jika diketahui nilai β F ≈200 dan β o ≈200 maka : i b = I B + i bm = sin ωt 6

7 Transistor Bipolar Notasi penulisan : Nilai yang berubah sesuai dengan fungsi waktu diberikan notasi huruf kecil Nilai maksimum, nilai rata-rata dan nilai efektif (rms) dinyatakan dengan huruf besar simbol Penguatan dinyatakan dengan huruf besar Small Signal Model untuk transistor Bipolar Rangkaian ekivalen Hybrid π untuk Common Emitter transistor bipolar 7

8 Transistor Bipolar Pada Rangkaian ekivalen Hybrid π untuk Common Emitter transistor bipolar maka parameter-parameter yang digunakan adalah : Hubungan PN Junction emitter basis (forward biased): r π = incremental resistance yang terjadi antara PN Junction basis dan emitor, dimana PN Junction BE diberikan tegangan maju (forward biased) C π = difussion capacitance antara basis dan emitor r b = base spreading resistance (resistansi yang menyebakan jatuh tegangan pada daerah base contact dan daerah aktif BE) r i =h ie = r π + r b Hubungan PN Junction kolektor basis (Reversed biased) r μ = resistansi antara input dan output yang terjadi karena early effect, karena nilainya selalu besar sekali maka umum untuk diabaikan. C μ = depletion region capacitance antara kolektor dan basis sebagai akibat PN junction CB di reversed biased r o = resistansi output yang terjadi karena early effect. g m transconductance Nilai ini merefleksikan perubahan incremental ic akibat adanya perubahan incremental tegangan antara basis dan emitter 8

9 Transistor Bipolar Low frequency model : Pada low frequency model (model frekuensi rendah): Maka nilai C μ, C π, dan r μ dapat diabaikan. Nilai : Untuk v ce =0 maka tidak ada arus pada r o dan : Nilai disebut sebagai incremental common emitter forward short circuit current gain 9

10 Transistor Bipolar Low frequency model : Nilai : Karena baik untuk transistor npn atau pnp berlaku : maka : 10

11 Transistor Bipolar Low frequency model : Karena pada dioda PN Junction berlaku : (lihat slide pertemuan ke 5) maka : Untuk transistor 1. NPN (PN Junction BE di forward biased) : 2. PNP (PN Junction EB diforward biased atau v EB = -v BE ) Sehingga baik untuk NPN atau PNP maka : 11

12 Transistor Bipolar Karena pada PN junction, juga berlaku : maka : Contoh Penggunaan rangkaian ekivalen hybrid π: Tentukan nilai : a. V s yang menghasilkan nilai peak (maksimum ) v o sebesar 1 V b. Nilai peak (maksimum) v o jika V s =2 mV Jika diasumsikan frekuensinya yang digunakan adalah frekuensi rendah. (r o = diabaikan ;r b = 100 Ω; η=1 ; V T = 25 mV ; β F =100) 12

13 Transistor Bipolar Pada v s = 0 : 13

14 Transistor Bipolar Small signal model untuk rangkaian CE dengan frekuensi rendah adalah : (V CC =0) 14

15 Transistor Bipolar Dengan mempergunakan thevenin maka : 15

16 Transistor Bipolar jika a. b. 16

17 I R Konstan dan bergantung pada Nilai Vcc dan R Transistor Bipolar Transistor Bipolar pada V CB = 0 17

18 Transistor Bipolar Simple Current mirror (NPN) Asumsi : Q 1 = Q 2 maka : I B1 = I B2 I E2 = I E1 I C2 = I C1 Q 2 harus berada dalam kondisi aktif (V CE2 > V CE sat ) 18

19 Transistor Bipolar Simple Current mirror (PNP) Asumsi : Q 1 = Q 2 maka : I B1 = I B2 I E2 = I E1 I C2 = I C1 Q 2 harus berada dalam kondisi aktif (V EC2 > V EC sat ) 19

20 Transistor Bipolar Emitter Coupled Pair (differential pair) Dapat difungsikan sebagai amplifier atau switch 20 KVL KCL

21 Transistor Bipolar Emitter Coupled Pair (differential pair) Karakteristik transfer emitter coupled pair (I C dan V d );η=1 21

22 Karakteristik transfer emitter coupled pair (V o dan V d ) ; η=1 22

23 Transistor Bipolar Interpretasi transfer karakteristik Emitter Coupled pair (differential pair) : Switch (berguna pada Rangkaian Digital) Saat V d > 4V T I C1 ≈ αI EE dan I C2 ≈ 0 V o2 = V CC dan V o1 =V CC - αI EE R C R c dipilih sehingga Q1 dan Q2 selalu berada dalam daerah aktif Q1 = closed switch (V CC - αI EE R C ) dan Q2 = open switch (V CC ) Saat V d < - 4V T I C2 ≈ αI EE dan I C1 ≈ 0 V o2 = V CC - αI EE R C dan V o1 =V CC - αI EE R C R c dipilih sehingga Q1 dan Q2 selalu berada dalam daerah aktif Q 1 = open switch (V CC - αI EE R C ) dan Q 2 = closed switch (V CC ) Controlled source atau Amplifier ((berguna pada Rangkaian Analog) Pada interval -2V T ≤ V d ≤ 2V T Nilai I C1, I C2, V o1, V o2 dan V o akan berubah secara linear sesuai dengan perubahan V d 23


Download ppt "1 Elektronika Dasar (Minggu 8) Transistor Bipolar."

Presentasi serupa


Iklan oleh Google