Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat. Penguiat Tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus.

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat. Penguiat Tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus."— Transcript presentasi:

1 Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat

2 Penguiat Tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan

3 VTC Saat input v GS kurang dari V t FET cut-off Saat input v GS kurang dari V t FET cut-off Saat input v GS melampaui V t FET arus mulai mengalir V D turun MOSFET masuk mode saturasi Saat input v GS melampaui V t FET arus mulai mengalir V D turun MOSFET masuk mode saturasi Saat input v GS naik dan v DS turun hingga v DS sama v OV MOSFET masuk mode trioda Saat input v GS naik dan v DS turun hingga v DS sama v OV MOSFET masuk mode trioda

4 Tegangan Bias untuk Penguat Linier Pilih titik kerja DC pada keadaan arus tidak ditentukan tegangan drain-source (saturasi) Pilih titik kerja DC pada keadaan arus tidak ditentukan tegangan drain-source (saturasi)

5 Penguatan Tegangan Sinyal Kecil

6 Bila v gs kecil maka vds dapat mendekati proposi dari v gs Bila v gs kecil maka vds dapat mendekati proposi dari v gs Penguatan di titik kerja Penguatan di titik kerja penguatan negatif sebanding resistansi dan transkonduktansi Arus DC penguatan menjadi Arus DC penguatan menjadi

7 Contoh 5.9 Penguat MOSFET mempunyai V t 0,4V, k n ’ 0,4mA/V 2, W/L 10, dan =0. Bila V DD 1,8V, R D 17,5k , dan V GS 0,6V, tentukan V OV, I D, V DS, dan A v dan berapa swing maksimum simetri pada drain serta swing pada gatenya Penguat MOSFET mempunyai V t 0,4V, k n ’ 0,4mA/V 2, W/L 10, dan =0. Bila V DD 1,8V, R D 17,5k , dan V GS 0,6V, tentukan V OV, I D, V DS, dan A v dan berapa swing maksimum simetri pada drain serta swing pada gatenya

8 Contoh 5.9 Arus drain DC Arus drain DC Tegangan drain-source Tegangan drain-source Penguatan Penguatan

9 Contoh 5.9 Tegangan DC drain source V DS 0,4V dan V OV 0,2V maka agar MOSFET masih saturasi V DS minimum 0,2V atau magnituda swing output 0,2V Tegangan DC drain source V DS 0,4V dan V OV 0,2V maka agar MOSFET masih saturasi V DS minimum 0,2V atau magnituda swing output 0,2V Perhitungan amplituda tegangan swing input kasar Perhitungan amplituda tegangan swing input kasar Perhitungan lebih baik bila v gs diperhitungkan saat menentukan batas saturasi Perhitungan lebih baik bila v gs diperhitungkan saat menentukan batas saturasi

10 Contoh 5.9 Perhitungan lebih teliti dari batas saturasi Perhitungan lebih teliti dari batas saturasi

11 VTC dengan Analisis Grafis Persamaan arus tegangan Persamaan arus tegangan

12 Menentukan Tegangan Maksimum dan Minimum Batas tegangan output maksimum saat Cut-off Batas tegangan output maksimum saat Cut-off Batas tegangan output maksimum saat Trioda Batas tegangan output maksimum saat Trioda

13 Menentukan Titik Kerja Q Untuk V GS sama Untuk V GS sama –Resistansi tinggi cenderung mendekati trioda –Resistansi rendah cenderung mendekati cut-off


Download ppt "Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat. Penguiat Tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus."

Presentasi serupa


Iklan oleh Google