Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Bab 8 Field Effect Transistor (FET) By : M. Ramdhani.

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "Bab 8 Field Effect Transistor (FET) By : M. Ramdhani."— Transcript presentasi:

1 Bab 8 Field Effect Transistor (FET) By : M. Ramdhani

2 Perbedaan FET dan BJT BJT  Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole) FET  Unipolar device (satu carrier : elektron / n-channel atau hole / p-channel)

3 Struktur FET FET JFET (Junction FET) JFET kanal nJFET kanal P MOSFET (Metal Oxide Semiconduktor FET) Depletion ModeEnhancement Mode

4 Perbedaan JFET dan MOSFET Struktur dan karakteristiknya Lapisan oksidasi pada MOSFET MOSFET bisa tegangan GS positif

5 JFET kanal n

6 Jika G-S tidak diberikan bias (V GS =0) maka deplesi hanya pada sambungan PN saja masih ada celah kanal n maka dengan hanya memberikan D-S tegangan kecil (V DS kecil) maka arus drain (I D ) mengalir Jika V DS dinaikkan terus saat V GS =0, maka V DS = V DG dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal membesar akan didapatkan I D konstan. Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh daerah deplesi pada daerah sekitar Drain, yang nilainya sama dengan bias balik V DG atau V DG = - V P

7 Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah bentuk saluran I D tetap konstan pada nilainya yang dicapai saat V DS = - V P Jika V GS dinaikkan maka deplesi semakin melebar dan suatu saat didapatkan arus drain sama dengan nol dan saat itulah dikatakan V GS =V p  tegangan pinch off

8 Kurva karakteristik Drain

9 Daerah Ohmic/ trioda

10 Kurva karakteristik Drain Daerah aktif/pinch off/saturasi

11 Daerah Ohmic/Trioda

12 Daerah Aktif/ Pinch Off

13 Kurva Transfer

14 JFET kanal p

15 MOSFET depletion mode

16 Kurva Karakteristik

17 Daerah Ohmic/Trioda

18 Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi

19 Simbol MOSFET depletion mode

20 MOSFET enhancement mode

21 Kurva karakteristik

22 Daerah Ohmic/Trioda

23 Daerah Aktif/ Pinch Off

24 Simbol MOSFET enhancement mode

25 Karakteristik FET – Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas saja. – Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan tempat lebih sedikit dalam IC. – Rin tinggi (ratusan M). – Derau lebih rendah dibandingkan transistor bipolar. – Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi lebih kecil. – gm FET < gm transistor bipolar. – Konsumsi daya kecil


Download ppt "Bab 8 Field Effect Transistor (FET) By : M. Ramdhani."

Presentasi serupa


Iklan oleh Google