Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi.

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi."— Transcript presentasi:

1 1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi depletion-enhancement. Pada DMOSFET, gerbang diisolasi dari kanal, sehingga DMOSFET dapat juga diaktifkan dengan menggunakan tegangan gerbang (VGS). Semakin naik VGS, konduksi dari source ke drain makin besar sehingga arus kanal semakin besar. Sama seperti JFET, maka DMOSFET juga terdapat 2 tipe, yaitu tipe-n dan tipe-p. E-MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode operasi enhancement. Keterangan Enhancement : perbaikan peningkatan Depletion : penipisan

2 2 n-Channel depletion MOSFET showing channel length L and channel width W. Struktur DMOSFET

3 3 Depletion Type MOSFET

4 4

5 5 Karakteristik

6 6 Sket Kurva Sket Kurva karakteristik MOSFET tipe depletion dengan I DSS = 10 mA dan Vp = -4 V. Jawab : membuat kurva ID – VGS, dengan menentukan 4 titik ID, yaitu : * ID = IDSS * ID = IDSS/2 * ID = IDSS/4 * ID = 0 mA Caranya menggunakan pers shokhley seperti pada JFET

7 7 Simbol

8 8 Enhancement MOSFET Seperti halnya pada DMOSFET, EMOSFET juga mempunyai oksida logam tapi drain dan source tidak terhubung dalam satu kanal melainkan dipisahkan oleh substrat. Dalam hal ini untuk mendapatkan arus maka harus diberikan tegangan yang cukup ke gerbang (V G ). Untuk EMOSFET kanal N tegangan antara gate dan source (V GS ) minimum yang menyebabkan mengalirnya arus disebut tegangan ambang batas (threshold) (VT).

9 9 Enhancement-Type MOSFET

10 10 n-Channel enhancement MOSFET showing channel length L and channel width W.

11 11 enhancement-mode n-channel MOSFET

12 12 Enhancement-Type MOSFET

13 13 Sket Kurva Karakteristik n-channel Enhancement –type MOSFET dengan : I D (on) = 10 mA V GS (on) = 8V VT = 2 V Jawab : membuat kurva ID – VGS, dengan menentukan 4 titik ID, yaitu : * ID = ID(on) * ID = ID(on)/2 * ID = ID(on)/4 * ID = 0 mA

14 14 Karakteristik ( p-channel)

15 15 Simbol

16 16 For v GS < V to the pn junction between drain and body is reverse biased (kaki Drain dan source belum tehubung) Sehingga i D =0. PRINSIP KERJA

17 17 v GS >V to ----> terbentuk saluran n. v GS bertambah----> saluran membesar, v DS mengecil, Besarnya I D sebanding dengan v DS.

18 18 v DS bertambah, saluran mengecil di drain dan Laju pertambahan i D : melambat Saat v DS > v GS -V to, ----> i D tetap (daerah saturasi)

19 LAMPIRAN 19

20 20 ID versus v GS in the saturation region for n-channel devices. Perbedaan Kurva Karakteristik transfer 3 jenis FET

21 21 p-Channel FET circuit symbols. Sama dengan n-channel devices, kecuali arah panah


Download ppt "1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi."

Presentasi serupa


Iklan oleh Google