Memori

Memori Flip-flop: memori 1-bit Register: memori n-bit, satu lokasi Memori: penyimpan data n-bit, m-lokasi MSB LSB MSB LSB 4-bit 1 1 2 m 1 1 1 1 Flip-flop Register 1 n Memori m x n

Memori ROM: PROM, EPROM, EEPROM RAM: STATIC, DYNAMIC 3

ROM (Read Only Memory) ROM Merupakan chip (IC=integrated circuit) yang menyediakan fungsi penyimpanan data yang bersifat “hanya dapat dibaca saja, tidak dapat ditulisi”, dan sifat penyimpanannya permanen (jika catudayanya ditiadakan, isi ROM tetap ada). Tipe memori ini sering disebut sebagai memori yang tidak mudah berubah (nonvolatile memory). 4

PROM (Programmable ROM) PROM merupakan ROM yang isinya diprogram oleh pabriknya. Jenisnya: ROM Matriks Diode/Transistor BJT/FET

Sel PROM Transistor Menyimpan data “1” Menyimpan data “0”

DATA DALAM HEKSADESIMAL PROM Misal pabrik akan membuat ROM dengan ukuran 4X4-bit, dengan data yang tersimpan di dalamnya seperti tabel ini: LOKASI/ ALAMAT DATA DALAM BINER DATA DALAM HEKSADESIMAL D3 D2 D1 D0 1 C A 2 4 3 5

PROM Organisasi ROM

Simbol ROM 4x4-bit Pin Alamat Pin Data Pin Kontrol Pin A0,A1 digunakan untuk memilih alamat Pin Kontrol digunakan untuk menyediakan saluran output.

Simbol ROM 4x4-bit Pin Alamat Pin Data Pin Kontrol OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

= Simbol ROM OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW ROM 4 byte OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW Kapasitas naik 2 kali, pin alamat bertambah 1

EPROM (Erasable PROM) EPROM Adalah ROM yang dapat dihapus dan diprogram isinya oleh pengguna. UV-EPROM adalah ROM yang isinya dapat dihapus dengan sinar Ultra Violet. Untuk memrogram ROM ini digunakan EPROM Programmer

Contoh IC EPROM

Pinout EPROM

Kapasitas EPROM NO. SERI ARTI KAPASITAS JML. PIN ALAMAT 2716 16=2K X 8-bit=2Kbyte 2Kbyte 11 2732 32=4K X 8-bit=4Kbyte 4Kbyte 12 2764 64=8K X 8-bit=8Kbyte 8Kbyte 13 27128 128=16K X 8-bit=16Kbyte 16Kbyte 14 27256 256=32K X 8-bit=32Kbyte 32Kbyte 15 27512 512=64K X 8-bit=64Kbyte 64Kbyte 16

Contoh EPROM Programmer

EPROM Lepaskan EPROM dari sistem Buka penutup jendela transparan Cara Menghapus EPROM: Lepaskan EPROM dari sistem Buka penutup jendela transparan Sinari jendela transparan dengan sinar ultra violet beberapa menit (kurang lebih 15 menit) Cara Memrogram EPROM: Hapus terlebih dahulu seluruh isinya dengan sinar ultra violet Pasang EPROM pada EPROM Programmer Isilah EPROM dengan data menggunakan EPROM Programmer

EPROM Penghapusan UV-EPROM dilakukan dengan menggunakan sinar ultra violet. Sinar Ultra Violet beberapa menit, maka data akan terhapus EPROM ERASER Jendela Transparans Pin atau terminal IC

EEPROM EEPROM (Electrically EPROM)  flash ROM yang isinya dapat dihapus dan diprogram secara elektris. Contoh: CMOS Setup pada PC. Jika ingin mengubah konfigurasi PC, maka pada saat booting tekan tombol Del sehingga muncul informasi konfigurasi yang akan diubah. Pengubahan konfigurasi, pada dasarnya adalah memrogram CMOS/EEPROM secara elektris.

EEPROM Kelebihan EEPROM dibandingkan dengan EPROM: Cara memrogram EEPROM: EEPROM tetap terpasang pada sistem Lakukan penghapusan dan pengisian data Kelebihan EEPROM dibandingkan dengan EPROM: Isinya dapat diprogram bagian per bagian, sedangkan pada EPROM untuk memrogram harus menghapus seluruh isinya terlebih dahulu sehingga tidak memungkinkan permograman bagian per bagian. Pengahupusan EEPROM lebih cepat dibandingkan EPROM, karena dilakukan secara elektris. Waktu penghapusan pada EEPROM dalam orde mili detik (ms) sedangkan pada EPROM pada orde menit. Pemrograman EEPROM dapat dilakukan tanpa melepaskannya dari sistem, sedangkan untuk EPROM harus dilepaskan dari sistem.

Isi (Dalam Heksadesimal) Cara MP Membaca ROM Misal di dalam ROM 8 byte berisi data sebagai berikut: Alamat Isi (Dalam Heksadesimal) 02 1 A1 2 B2 3 5C 4 00 5 45 6 FF 7 E6

Sistem Interkoneksi Bus Pada Mikrokomputer MP ROM RAM I/O Interface BUS ALAMAT BUS DATA BUS KONTROL Bus: Kumpulan konduktor, yang membawa sinyal-sinyal: alamat, data, dan kontrol.

Cara MP Membaca ROM Mikroprosesor membaca alamat 5 dari ROM 8 byte: Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 5 yakni A2A1A0=101 lewat bus alamat ke pin alamat ROM (tahap I) Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan ROM (Tahap II) Data akan ditempatkan pada bus data sehingga pada bus data terdapat data 45 (tahap 3)

RAM (Random Access Memory) RAM Merupakan chip yang menyediakan fungsi penyimpanan data yang bersifat “dapat dibaca dan ditulisi”, dan sifat penyimpanannya sementara (jika catudayanya ditiadakan, isi RAM hilang) 24

Static RAM (SRAM) Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan flip-flop sehingga: (1) datanya relatif stabil/statis sehingga tidak diperlukan adanya rangkaian “refresh”, (2) lebih cepat, (3) kepadatan komponen rendah/kapasitas kecil, (4) mahal

Sel SRAM MC: memory cell SELECT (CS) RWS MODE 1 Write Read X INACTIVE

Organisasi SRAM: Bentuk 1

Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 1 Pin Alamat Pin Data Pin Kontrol RWS=Read/Write Select CS=Chip Select, ACTIVE-HIGH

Organisasi SRAM: Bentuk 2

Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 2 Pin Alamat Pin Data Pin Kontrol WE=Write Enable OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW

Cara MP Membaca dan Menulisi RAM Misal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut: Alamat Isi (Dalam Heksadesimal) 13 1 FF 2 C4 3 6D 4 5 57 6 7

Cara MP Membaca RAM Mikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte: Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 3 yakni A2A1A0=011 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I) Mikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan mode baca RAM (Tahap II) Data akan ditempatkan pada bus data sehingga pada bus data terdapat data 6D (tahap 3)

Cara MP Menulisi RAM Mikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2: Mikroprosesor mengirim sinyal alamat 4 yakni A2A1A0=100 lewat bus alamat ke pin alamat RAM (tahap I) Mikroprosesor menempatkan data A2 pada bus data (tahap II) ikroprosesor mengirim sinyal kontrol untuk mengaktifkan mode tulis RAM (Tahap III)

Contoh IC Static RAM Seri 6116 SRAM 2Kbyte PIN NAMES A0-A10 Address Inputs I/O0-I/O7 Data Inputs/Outputs /CE Active LOW Chip Enable /OE Active LOW Output Enable /WE Active LOW Write Enable

Dynamic RAM (DRAM) Merupakan RAM yang sel-selnya menggunakan kapasitor sehingga: (1) datanya tidak stabil/dinamis sehingga diperlukan rangkaian “refresh”, (2) lebih lambat, (3) kepadatan komponen tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah

Sel DRAM

Sel DRAM

Organisasi DRAM

Operasi Read DRAM Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input dekoder alamat baris. Dekoder alamat baris memilih baris data yang diinginkan yang akan dikirim ke buffer out Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode read Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input dekoder kolom. Pin ini selalu memberikan Output Enable, setiap sinyal CAS diberikan Data akan ditempatkan pada .Dout RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya

Operasi Read DRAM Memori 40

Operasi Write DRAM Data yang akan disimpan ditempatkan pada Din Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input dekoder alamat baris. Dekoder alamat baris memilih lokasi baris yang akan ditempati data dari buffer in Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode write Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input dekoder kolom. Data akan ditempatkan pada alamat pada array sesuai yang diinginkan RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya

DRAM 1M X 1 Memori 42

DRAM 64K X 1-bit

DRAM 64K X 8-bit Memori

KONEKSI DRAM DATA n-bit