Teknologi fabrikasi divais rangkaian terintegrasi (integrated circuit)

Presentasi berjudul: "Teknologi fabrikasi divais rangkaian terintegrasi (integrated circuit)"— Transcript presentasi:

1 Teknologi fabrikasi divais rangkaian terintegrasi (integrated circuit)

2 Integrate Circuit (IC)
Rangkaian Terintegrasi (Integrated Circuit/IC), sering juga disebut sirkuit terpadu, terdiri dari beberapa transistor, resistor, dll yang terinterkoneksi satu sama lain dalam package (paket) kecil dengan terminal-terminal sambungan. IC itu sudah lengkap, hanya memerlukan sambungan input dan output dan sebuah tegangan supply untuk bisa berfungsi. Cara lain, beberapa komponen eksternal harus dihubungkan agar IC itu bisa beroperasional.

3 Klasifikasi IC berdasarkan fungsinya
IC analog bisa disebut IC linier yang berupa amplifier, voltage regulator. IC digital biasanya berisi transistor-transistor baik yang dalam keadaan swicthed-off atau dalam keadaan switched-on. Gerbang-gerbang logika, counting circuits, dan yang semacam terdapat dalam bentuk IC.

4 Klasifikasi IC berdasarkan ukurannya
small-scale integration (SSI) - mengandung < 24 gate b. medium-scale integration (MSI) - mengandung 24 –100 gate c. large-scale integration (LSI) - mengandung > 100 gate d. Very large scale integration (VLSI)

5 Klasifikasi IC berdasarkan struktur
Semikonduktor IC  Bipolar, MOS IC lapisan (monolitik) IC hybrid  lapisan tipis dan lapisan tebal

6 Definisi Fabrikasi semikonduktor
Merupakan proses yang digunakan untuk menciptakan chip (sirkuit terpadu) yang hadir di alat elektronik sehari-hari.

7 Diagram proses fabrikasi IC

8 Proses Fabrikasi IC Pencucian wafer Oksidasi Difusi Fotolitografi
Deposisi polisilikon Metalisasi

9 Pencucian Wafer Proses ini digunakan untuk menghilangkan kontaminasi, Sebelum melakukan pemrosesan atau antar pemrosesan wafer harus dicuci terlebih dahulu dengan menggunakan bahan kimia dan air yang bebas ion (deionized water-DIH2O). Tahap pencucian wafer diantaranya menghilangkan senyawa organik, menghilangkan senyawa anorganik dan menghilangkan oksida tipis yang tidak diinginkan.

10 Oksidasi Oksidasi adalah proses pembentukan lapisan SiO2 diatas permukaan wafer silikon. Oksidasi pada fabrikasi ini menggunakan metode temperatur tinggi. Ada dua oksidasi thermal yang dilakukan, yaitu oksidasi basah dan oksidasi kering. Oksidasi basah dilakukan dengan mengalirkan gas oksigen murni kedalam bubbler berisi DIH2O yang didihkan, kemudian uap airnya dialirkan kedalam tungku yang berisi wafer yang akan dioksidasi. Oksidasi ini digunakan pada oksida medan (field Oxide) untuk masker pada saat proses difusi.

11 Difusi

12 Fotoligrafi Fotolitografi merupakan proses pemindahan pola dari masker kelapisan fotoresist yang terbuat dari bahan yang peka terhadap radiasi cahaya, umumnya daerah ultraviolet. Sedangkan pemindahan pola dari lapisan fotoresist ke lapisan di bawahnya, dilakukan melalui proses etsa. Terdapat dua jenis resist yang di gunakan yaitu resist positif dan resist negatif. Penggunaanya tergantung pada pola yang di inginkan. Pada waktu pencetakan setelah penyinaran ultraviolet, bagian resist dari tipe positif setelah disinari akan hilang sedangkan bagian yang tertutup oleh masker masih ada. Pada resist negatif terjadi sebaliknya.

13 Diagram Proses Fotoligrafi

14

15 Metalisasi Metalisasi digunakan untuk interkoneksi dan membentuk kontak dengan dunia luar. Bahan yang digunakan untuk metalisasi adalah aluminium (Al). Prosesnya yaitu dengan cara penembakan target yang berada pada chamber sangat vakum. Deposisi Aluminium digunakan Sputtering.

16 Referensi : Muzaki Kurniawan ( )