TRANSISTOR II.

Presentasi berjudul: "TRANSISTOR II."— Transcript presentasi:

1 TRANSISTOR II

2 BJT dan FET ID (kontrol arus) IB FET BJT VGS (kontrol tegangan) IC
+ - VGS (kontrol tegangan) BJT IC IB (kontrol arus) Bipolar Junction Transistor (BJT) : -. dikontrol oleh arus - IC bergantung pada IB -. carrier: elekron dan hole (bipolar) Field Effect Transisitor (FET) : dikontrol oleh tegangan - ID bergantung pada VGS - carrier: elektron atau hole (unipolar)

3 Tipe FET 1. Junction Field Effect Transistor (JFET)
2. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

4

5 Kontruksi JFET 2 tipe JFET : n channel dan p channel
Terdapat 3 terminal - Drain (D) - Source (S) - Gate (G)

6 Cara Kerja JFET Pada junction terjadi lapisan deplesi (depletion layer) akibat rekombinasi elektron dan holes Ketika elektron mengalir dari source ke drain, elektron harus melewati channel sempit di antara ke dua lapisan deplesi. Semakin negatif tegangan gate, semakin sempit channel. Semakin kecil arus yang mengalir antara souce dan drain Tegangan gate mengontrol besar arus yang mengalir antara source dan drain drain gate source

7 Karakterisitik Operasi JFET
3 kondisi operasi JFET: VGS = 0, VDS menaik ke suatu nilai positif VGS < 0, VDS pada suatu nilai positif Voltage Controlled Resistor

8 Kondisi 1 Kondisi 1: VGS=0 dan VDS naik ke suatu nilai positif:
- Gate dihubungkan dengan Source VGS=0 - VGS=0 dan VDS=0 FET tidak aktif - VDS dinaikkan: Daerah deplesi antara p gate dan n channel akan membesar dengan semakin banyaknya elektron yang berekombinasi dengan hole - Memperbesar daerah deplesi akan memperkecil daerah n dan memperbesar resistansinya - Arus dari Source ke Drain (ID) semakin besar karena VDS semakin besar

9 Pinch Off Jika VDS dinaikkan terus daerah deplesi semakin membesar sampai akhirnya bersentuhan (pinchoff)

10 Saturasi Pada titik pinchoff:
Kenaikan VDS lebih lanjut tidak akan menaikkan ID. VGS pada pinchoff dinyatakan dengan VP ID pada saturasi atau maksimum dinyatakan dengan IDSS

11 Kondisi 2 VGS < 0 dan VDS pada suatu nilai positif:
VGS semakin negatif, maka daerah deplesi akan semakin besar

12 ID  IDSS • ID berkurang (ID < IDSS) meskipun VDS dinaikkan
VGS menjadi lebih negatif: • JFET akan pinch-off pada tegangan yg lebih rendah (Vp). • ID berkurang (ID < IDSS) meskipun VDS dinaikkan • ID pada 0A. VGS pada titik ini disebut Vp or gate source cutt off voltage, VGS(off). • breakdown VDS > VDSmax.

13 Kurva Drain JFET

14 Kondisi 3 Voltage Controlled Resistor:
Daerah disebelah kiri titik pinchoff dinamakan daerah ohmic. JFET dapat dioperasikan sebagai variable resistor dimana resistansi drain source, rd dikontrol oleh VGS. VGS lebih negatif, rd naik Hubungan rd dengan VGS rd=resistansi pada suatu nilai VGS tertentu ro= resistansi pada VGS=0

15 JFET p channel JFET p channel memiliki prinsip yang sama dengan JFETn channel Channel adalah semikonduktor tipe p. Polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET n channel. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.

16 MOSFET MOSFET = Metal Oxide Semiconductor FET
Mempunyai karakterisitik yang mirip dengan FET Memiliki drain, source, gate Gate terbuat dari bahan metal Karena gate yang terisolasi sering disebut juga Insulated Gate FET ( IGFET) Dua jenis MOSFET - Depletion Mode - digunakan pada rangkaian linear - Enhancement Mode - digunakan pada rangkaian digital

17 Depletion Mode MOSFET Construction
Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region n-doped region dihubungkan melalui n-channel n-channel dihubungkan dengan Gate (G) melalui insulating layer SiO2 yang tipis n-doped material berada pada p-doped substrate yang dapat mempunyai terminal tambahan yang dihubungkan dengan substrate (SS)

18 Depletion Mode MOSFET n channel

19 Prinsip Kerja Elektron bebas mengalir dari source ke drain melalui n region. elektron yang mengalir harus melalui channel yang sempit diantara gate dan p region

20 Tegangan Gate Negatif 1. Tegangan gate negatif
- VDD mendorong elektron mengalir dari source ke drain. Elektron tersebut mengalir melalui channel yang sempit disebelah substrate p. - Tegangan gate mengontrol lebarnya channel. Semakin negative tegangan gate, semakin kecil arus drain. Ketika tegangan gate sudah cukup negatif, arus drain akan cut off. - Operasi MOSFET sama dengan JFET ketika VGS negatif

21 Tegangan Gate Positif Karena gate terisolasi dari channel, tegangan positif dapat diberikan pada gate. Tegangan gate positif menaikkan banyaknya elektron bebas yang mengalir melalui channel. Semakin positif tegangan gate, semakin besar arus dari source ke drain

22 Kurva Drain Depletion MOSFET
ketika VGS = 0V, ID = IDSS Ketika VGS < 0V, ID < IDSS n channel p channel

23 Enhancement Mode MOSFET Construction
Drain (D) dan Source (S) dihubungkan dengan n-doped region n-doped regions tidak berhubugan melalui n-channel Gate (G) berhubungan dengan p-doped substrate melalui insulating layer SiO2 yang tipis

24 Enhancement Mode MOSFET
N Channel

25 Enhancement Mode MOSFET
Ketika VGS =0, VDD akan mendorong elektron bebas dari source ke drain, tetapi substrat p hanya mempunyai sedikit elektron bebas. Tidak ada arus mengalir anatra source dan drain, MOSFET dalam keadaan Off VGS >0 elektron tertarik kearah substrat p dan berekombinasi dengan hole. Karena potensial gate lebih positif, elektron terlebih dahulu tertarik dan menumpuk di sisi substrat yang berbatasan dengan gate. Elektron akan terus menumpuk dan tidak dapat mengalir menuju  gate karena terisolasi oleh bahan insulator SiO2.  Jika tegangan gate cukup positif, maka tumpukan elektron akan menyebabkan terbentuknya semacam lapisan n yang negatif dan seketika itulah arus drain dan source dapat mengalir. Lapisan yang terbentuk ini disebut dengan istilah inversion layer. Di sini karena subtratnya tipe p, maka lapisan inversion yang terbentuk adalah bermuatan negatif atau tipe n. Tegangan minimum dimana lapisan inversion n mulai terbentuk disebut tegangan threshold, VGS(th). Pada tegangan ini transistor mulai on

26 Kurva Drain EnhancementMOSFET

27 Thyristor (1) Kontruksi : terdiri dari 4 lapisan semikonduktor (pnpn)
Seperti saklar mekanis thyristor mempunyai 2 keadaan : ON (menghantarkan) dan OFF (tidak menghantarkan) Sekali dipicu (triggered) akan tetap ON Jenis a.l: - SCR (Silicon Controlled Rectifier) - TRIAC Aplikasi: kontrol kecepatan dan frekuensi, penyearahan dan pengubahan daya - pengendali motor - manipulasi robot - kontrol panas dan cahaya

28 Thyristor (2) Collector Q1 tersambung pada base Q2 dan sebaliknya collector Q2 tersambung pada base Q1

29 Thyristor (3) Jika arus base Q1 naik, arus collector Q2 naik, akibatnya arus base Q1 bertambah besar dan arus collector pada Q2 akan semakin besar juga. Demikian seterusnya sampai thyristor menjadi jenuh. Pada saat tersebut thyristor dalam keadaan ON atau seperti switch yang tertutup Jika arus base Q2 menurun, arus collector Q2 akan menurun sehingga arus base Q1 akan mengecil yang akan mengurangi arus collector Q2. Demikian seterusnya sampai thryristor cutoff. Pada saat demikian thyristor dalam keadaan OFF atau seperti switch terbuka. closed switch open switch

30 SCR (1) Terdiri dari 4 lapisan pnpn
Mempunyai 3 terminal: anoda, katoda, gate Tidak memperkuat sinyal, digunakan sebagai saklar (switch)

31 SCR (2) Kurva karakteristik
Vbo= tegangan break over, tegangan minimum agar SCR ON IG = arus gate IGT = arus trigger gate Ih = arus holding, arus yang mempertahankan SCR tetap ON

32 TRIAC TRIAC (Triode for Alternating Current)
Disebut thyristor bi directional. TRIAC merupakan dua buah SCR yang dihubungkan secara paralel berkebalikan dengan terminal gate bersama. TRIAC dapat dipicu dengan tegangan polaritas positif dan negatif, serta dapat dihidupkan dengan menggunakan tegangan bolak-balik pada Gate. Banyak digunakan pada rangkaian kontrol dan pensaklaran (light dimmer, electric heating control, dll)