Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT

Presentasi berjudul: "Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT"— Transcript presentasi:

1 Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
TUJUAN PRAKTIKUM - Memahami konsep kerja garis beban dan kurva karakteristik sebuah transistor Bipolar Junction Transistor. - Memahami daerah kerja transistor BJT pada saat cut off, saturasi dan aktif. Mampu menetapkan titik daerah kerja taransistor untuk digunakan sebagai penguat. TEORI DASAR Analisa terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi mengenaii tanggapan system atau rangkaian, baik dalam mode AC maupun mode DC yang sebenarnya dapat dinalisa secara terpisah. Dalam perancangan rangkaian transistor, pilihan parameter untuk level DC yang sangat mempengruhi tanggapan AC-nya.

2 Titik Operasi Transistor (Q)
Bias merupakan pemberian tegangan DC untuk membentuk tegangan arus yang tetap. Tegangan dan arus yang dihasilkan menyatakan titik operasi (titik Q) dapat menentukan daerah kerja transistor

3 Sedangkan daerah kerja sebuah transistor pada kondisi cut-off, aktif atau saturasi ditentukan oleh bias yang diberikan pada masing-masing junction : Daerah aktif (daerah linier) Junction basis-emitter dibias maju Junction basis-kolektor dibias mundur Daerah saturasi Junction basis-kolektor dibias maju Daerah cutt-off Junction basis-emitter dibias mundur

4 LANGKAH – LANGKAH PRAKTIKUM
a. Buat rangkaian seperti gambar di bawah ini : b. Atur tegangan basis (VBB), kemudian tetapkan arus basis (Ib) c. kemudian ubah harga Vcc dari 0 Volt sampai 10 Volt. d. Ukur dengan multimeter arus kolektor (Ic) dan Vce e. Buat grafik karakteristik dari data yang telah diukur