Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1

Presentasi berjudul: "Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1"— Transcript presentasi:

1 Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Pertemuan 24 MOSFET

2 Learning Outcomes Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa akan mampu : Mahasiswa dapat Menjelaskan struktur dasar dari MOSFET dan jenis-jenis MOSFET.

3 Outline Materi Struktur dan simbol. Jenis-jenis MOSFET. Cara kerja.

4 MOSFET TIPE DAN STRUKTUR n n p p
Drain Drain n p Metal Metal n Substrate Gate p Substrate Gate SiO2 SiO2 Source MOSFET tipe pengosongan MOSFET tipe penguatan ( D-MOSFET ) ( E-MOSFET )

5 SIMBOL MOSFET n channel D-MOSFET n channel E-MOSFET D D
Source dan Substrate saling dihubungkan. G G S S n channel D-MOSFET n channel E-MOSFET

6 D MOSFET VGS negatif, mode pengosongan VGS = 0 Kurva Transkonduktansi
ID Kurva Transkonduktansi VGS positif, mode penguatan n p Pengosongan Penguatan IDSS VGS VGS(OFF) VGS

7 TRANSKONDUKTANSI

8 KURVA DRAIN Kurva drain dengan beberapa nilai VGS ID +4 +3 +2 +1
VDS VGS = 0 +1 +2 +3 +4 -1 -2 -3 VGS(off)

9 PRATEGANGAN NOL D MOSFET
ID Pengosongan Penguatan Titik Q ID=IDSS VGS VGS(OFF) VGS VDS = VDD – IDSS .RD

10 E MOSFET n p Lapisan elektron SiO2

11 KURVA KARAKTERISTIK VDS ID +1 +2 +3 VGS(th) ID VGS(th) VGS

12 PRATEGANGAN UMPAN BALIK PENGURAS
VDS = VDD – RD .ID(on)