Perilaku Junction PN.

Presentasi berjudul: "Perilaku Junction PN."— Transcript presentasi:

1 Perilaku Junction PN

2 Junction PN Struktur Fisik sedr42021_0339.jpg

3 Tanpa Tegangan Luar Difusi konsentrasi muatan, arus difusi ID
Terbentuk area deplesi, medan E Arus drift IS oleh medan setimbang sedr42021_0345a.jpg

4 Tanpa Tegangan Luar Beda potensial pada junction (daerah deplesi)
sedr42021_0345a.jpg

5 Tanpa Tegangan Luar Untuk NA > ND
n(x) dan p(x) kompleks, sederhanakan seragam – dengan x variabel posisi

6 Tanpa Tegangan Luar Muatan Seimbang

7 Tanpa Tegangan Luar Lebar W daerah deplesi

8 Dengan Tegangan Bergantung tegangan daerah deplesi melebar atau menyempit

9 Dengan Tegangan Untuk bias tegangan mundur (reverse) VR maka
Untuk tegangan bias maju (forward) VF maka

10 Hubungan Arus Tegangan
Konsentrasi muatan minoritas (NA>>ND)

11 Hubungan Arus-Tegangan
Konsentrasi hole terinjeksi ke area n dengan tegangan junction V pada batas junction xn Kelebihan konsentrasi muatan saat forward bias di posisi x=xn sebesar

12 Hubungan Arus-Tegangan
Konsentrasi hole di daerah n Lp Diffusion Length

13 Hubungan Arus-Tegangan
Konsentrasi hole di daerah n LP Diffusion Length – menentukan cepat/ lambatnya rekombinasi

14 Hubungan Arus Tegangan
Densitas arus difusi hole di area n untuk p(n) yang telah diperoleh

15 Hubungan Arus Tegangan
Densitas arus difusi hole di area n terbesar saat x=xn sehingga Arus akan menurun dengan kenaikan x

16 Hubungan Arus Tegangan
Dengan cara yang sama untuk densitas arus difusi elektron di area p terbesar saat x=-xp sehingga

17 Hubungan Arus Tegangan
Arus di area junction

18 Hubungan Arus Tegangan
Mengingat dan maka dan diperoleh hubungan arus tegangan IS arus saturasi dari pn junction bersangkutan

19 Hubungan Arus Tegangan
Kurva arus tegangan pn junction

20 Reverse Breakdown Bila tegangan reverse cukup mencapai VBR, medan listrik memberik energi yang cukup untuk melepaskan elektron dari ikatan kovalen Arus akan meningkat dengan cepat Dioda biasa akan rusak, aplikasi dioda Zener I VBD V