MUGI RAHARJO, 4250403021 Struktur Kristal, Sifat Listrik (Resistivitas) dan Sifat Optik Film Tipis ZnO dengan Doping Al yang ditumbuhkan dengan Metode.

Presentasi berjudul: "MUGI RAHARJO, 4250403021 Struktur Kristal, Sifat Listrik (Resistivitas) dan Sifat Optik Film Tipis ZnO dengan Doping Al yang ditumbuhkan dengan Metode."— Transcript presentasi:

1 MUGI RAHARJO, 4250403021 Struktur Kristal, Sifat Listrik (Resistivitas) dan Sifat Optik Film Tipis ZnO dengan Doping Al yang ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering

2 Identitas Mahasiswa - NAMA : MUGI RAHARJO - NIM : 4250403021 - PRODI : Fisika - JURUSAN : Fisika - FAKULTAS : Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam - EMAIL : mugi_r82 pada domain plasa.com - PEMBIMBING 1 : Dr. Sugianto, M.Si. - PEMBIMBING 2 : Dra. Pratiwi Dwijananti, M.Si. - TGL UJIAN : 2009-02-03

3 Judul Struktur Kristal, Sifat Listrik (Resistivitas) dan Sifat Optik Film Tipis ZnO dengan Doping Al yang ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering

4 Abstrak Telah ditumbuhkan lapisan tipis ZnO:Al di atas substrat corning glass dengan metode DC magnetron sputtering. Permasalahan yang dikaji dalam penelitian ini adalah bagaimana struktur kristal lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan diatas substrat corning glass dengan metode dc magnetron sputtering serta karekteristik sifat listrik dan sifat optik, yang meliputi beberapa metode antara lain, Pembuatan target ZnO:Al, Penumbuhan film tipis ZnO:Al, dan karakteristik film tipis (XRD, resistivitas, dan sifat optik). Hasil karekterisasi dan analisis difraksi sinar-X menunjukkan lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan dengan temperatur 450 oC memiliki strain yang lebih besar dibandingkan dengan lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan temperatur 550 oC. Puncak difraksi lapisan tipis ZnO:Al dominan pada puncak difraksi (002) pada sudut 2 � sekitar 34,2o. Dari analisis sifat listrik (resistivitas) menggunakan pengukuran I-V dengan metode empat probe menunjukan lapisan tipis ZnO doping Al memiliki resistivitas sebesar (0,62 – 0,65) × 10-3 � cm. Resistivitas listrik lapisan tipis ZnO menurun dengan adanya penambahan Al dalam proses penumbuhan. Resistivitas lapisan tipis ZnO:Al berbanding terbalik dengan konduktivitas listrik lapisan tipis ZnO:Al. Dan dari hasil analisis sifat optik (transmitansi) lapisan tipis ZnO:Al yang ditumbuhkan pada suhu 550 oC mempunyai transmitansi yang lebih baik, dengan energi gap sebesar 3,2 eV.

5 Kata Kunci dc magnetron sputtering, sifat listrik, sifat optik, struktur kristal, ZnO:Al

6 Referensi Chaabouni. F.M Abaab. M., Rezig. B. 2004. Efffect of The Substrate Temperature on The Properties of ZnO Film Grown by RF Magnetron Supptering. Elsevier, vol B109. Cao. H.T., Pei. Z.L., Gong. J., Sun. C., Huang. R.F., Wen. L.S. 2003. Prepartion and Charecrerization of Al and Mn Doped ZnO(ZnO)Al,Mn) Transparent Conducting Oxide Films.Department of Surface Engineering of Materials, Institute of Metal Research, The Chinese Academy of Sciences, Shenyang, PR China. Dhanu, Irfan. 2007. Pengruh Doping Unsur Eu Pda Sifat Fisis Film Tipis Ga 2 O3Yang Ditumbuhkan Dengan Metode dc Magnetron Sputtering. FISIKA FMIPA UNNES. Fan. Z., Lu. J.G. 2005. Zinc Oxide Nanostructure: Synthesis and Properties Thesis. Department of Chemical Engineering and Material Science & Department of Electrical Engineering and Computer Science University of California: Irvine:9 Gao.W., Li. Z.W. 2004. ZnO Thin Film Produced by Magnetron Sputtering. Elsevier, vol 30. Helen, H. Z. 1990. Optical and Electronic Properties of GaN : A Comparative Study With Partricular Reference to Laser Induced Chemical Vapaour Depositied Film (Thesis). Masquarie University, Australia. Indirawati, A. 2003. Pengaruh Doping Pd dan Au Pada lapisan Tipis ZnO Sebagai Sensor Gas. Skripsi. Semarang: FISIKA FMIPA UNNES. Jhonson, R. L. 2005. Characterization of Piezoelectric ZnO Thin Film and The Fabrication of Piezoelectric Micro-cantivelers. Joshi, C. 2003. Charaecterization And Corrosion of BCC-Tantalum Coating Deposited On Aluminium And Stell Substrat by Dc Magnetron Sputtering (thesis). New jeresy:new jeresy institute of technology press. Konuma, M. 1992. Film Deposision by Plasma Techniques. Berlin. Springer- Verlag. Ogita. M., Hugo. K., Nakanishi. Y., Hatanaka. Y. 2001.Ga2O3 Thin Film For Oxigen Sensor at High Tempetarure. Elsevier, vol 175-176. Lawarence, H Robins, Jeremiah R. Lowney, and Dennis K. Wickenden. 1998. Chatodoluminescence, and Optikal Absorbance Spectroscopy of Aluminium Gallium Nitride (AlxGa1-xN) film. Jurnal mater. Res. Vol.13. no. 9 sep 1998 Mendelung, O. 1996. Semiconductor Basic Data. Berlin:springer-verlag. Morkoc, H. 1999. Nitride Semiconductors and Devices. Berlin Springer-verlag. Purwaningsih, Y. S. 2003. Pembuatan Film tipis ZnO : Al Pada Substrat Kaca dengan Metode dc Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat Fisisnya. Yogyakarta: FISIKA FMIPA UGM (Tesis). Rio, R.S & Iida, M. 1982. Fisika dan Teknologi Semikonduktor. P.T. Pradnya Paramita: Jakarta. Wasa, K and Hayakawa, S. 1992. Hand Book Of Sputtering Deposition Tecnology. Principles, Technology and Apllication. Park Ridge. New Jersey. USA Noyes Publication. Schoder, K.D.1990. Semiconductor Material and Device Characterization. Canada: Jhon wiley & sons, inc. Singh, J. 1995. Physics of Semiconductors and Their Heterostructures. Singapore:McGraw-hill. Suryadi, H. Sudjatmoko, Atmono, T. M. 2003. Fisika Plasma (Diktat Kuliah Workshop Sputtering Untuk Rekayasa Permukaan Bahan). Yogyakarta Puslitbang Teknologi Maju BATAN:8. Suryanarayana, C. And G.M. Nirton.1998. X-ray Diffraction A Partical Approach. New York: plenum Press. V. Bilgin, et al. 2005. The Effect of Substrate Temperature on Structural and Physical Properties of Ultrasonically Sprayed Cds Film. Materials Chemistry and Physics.94. Wahyuni, Ari. 2007. Struktur Mikro dan Karekteristik Sifat Listrik Lapisan Tipis ZnO yang Ditumbuhkan Dengan Metode Dc Magnetron Sputtering. Semarang. Universitas Negri Semarang. Wilson, W.W. 1994. Study of Transparent Conducting ZnO Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition and Its Applications to Amrphous Silicon Solar Cell, Doctoral Disesertation. Tokyo institute Technology, Japan. Wikipedia. 2008. Wiyanto. 1993. Karekteristik Sifat Listrik Film Tipis ZnO Dengan Metode Van der Paw. Tesis. ITB: Bandu

7 Terima Kasih http://unnes.ac.id