Upload presentasi
Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu
1
Karakteristik Arus Tegangan
2
Potongan Melintang CMOS
3
Simbol MOSFET Simbol Kanal n enhancement
Source terhubung singkat dengan Body
4
Karakteristik iD - vDS Daerah kerja: cut-off, trida, saturasi
5
Persamaan Arus
6
Batas Saturasi dan Trioda
7
Kurva iD vs VDS
8
Karakteristik iD vs vGS
9
Model Sinyal Besar Perhatian: Gambar di buku teks salah!
Dalam keadaan saturasi
10
Efek vDS pada Panjang Kanal
Penurunan panjang kanal efektif akibat vDS
11
Efek vDS pada iD Saturasi
Kurva iD vs vDS dan resistansi output
12
Model Sinyal Besar dengan ro
13
Simbol MOSFET Kanal p enhancement
14
Karakteristik iD - vDS
15
Persamaan Arus
16
Batas Saturasi dan Trioda
17
Latihan 5.7 PMOSFET berikut memiliki Vtp=-1V, kp’=60uA/V2, dan W/L=10
Tentukan VG agar konduksi VD dalam besaran VG agar trioda VD dalam besaran VG agar saturasi Tentukan |VOV| dan VG untuk arus 75uA (asumsi l=0) Bila l=-0,02V-1, tentukan ro pada keadaan |VOV| di atas Bila l=-0,02V-1, tentukan ID pada VD +3V dan VD 0V.
18
Latihan 5.7 Konduksi Trioda Saturasi Arus 75uA
19
Latihan 5.7 Resistansi output Arus ID pada VD +3V Arus ID pada VD 0V
Presentasi serupa
© 2024 SlidePlayer.info Inc.
All rights reserved.