M. SULHAN, 4250405002 Pengaruh Daya Plasma Terhadap Struktur Mikro, Sifat Listrik dan Sifat Optik Film Tipis Cadmium Sulfida yang Ditumbuhkan dengan Metode.

Presentasi berjudul: "M. SULHAN, 4250405002 Pengaruh Daya Plasma Terhadap Struktur Mikro, Sifat Listrik dan Sifat Optik Film Tipis Cadmium Sulfida yang Ditumbuhkan dengan Metode."— Transcript presentasi:

1 M. SULHAN, 4250405002 Pengaruh Daya Plasma Terhadap Struktur Mikro, Sifat Listrik dan Sifat Optik Film Tipis Cadmium Sulfida yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering

2 Identitas Mahasiswa - NAMA : M. SULHAN - NIM : 4250405002 - PRODI : Fisika - JURUSAN : Fisika - FAKULTAS : Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam - EMAIL : ihsansulhan pada domain yahoo.com - PEMBIMBING 1 : Dr. Sugianto, M.Si. - PEMBIMBING 2 : Dr. Ngurah Made Darma Putra, M.Si. - TGL UJIAN : 2009-09-15

3 Judul Pengaruh Daya Plasma Terhadap Struktur Mikro, Sifat Listrik dan Sifat Optik Film Tipis Cadmium Sulfida yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Magnetron Sputtering

4 Abstrak II-VI yang ditemukan karena kebutuhan akan material semikonduktor. CdS memiliki energy gap 2,4 eV pada suhu ruang, dan mempunyai struktur kristal heksagonal dengan tipe kristal wurtzite, transparansi optik pada daerah tampak, sehingga banyak diaplikasikan dalam pembuatan berbagai peralatan diantaranya transparent conducting oxide (TCO), tranduser surface acoustic wave (SAW), pandu gelombang optik, LED, dan yang baru diteliti dan dikembangkan saat ini adalah sebagai devais sel surya. Permasalahan yang dikaji dalam penelitian ini adalah struktur mikro, sifat optik, dan sifat listrik lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan diatas substrat corning glass dengan metode dc magnetron sputtering dengan variasi daya plasma. Hasil karekterisasi dan analisis SEM (Scanning Electron Microscopy) menunjukkan lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan dengan daya plasma 17.15 W memiliki ukuran bulir yang lebih kecil dibandingkan dengan lapisan tipis yang ditumbuhkan pada daya plasma 22 W. Hasil analisis XRD menunjukan bahwa lapisan CdS yang ditumbuhkan pada daya plsama 17,15 W belum muncul puncak, sedangkan pada parameter 22 W muncul puncak di 2θ 15,15 o dengan orientasi kristal (102). Analisis sifat optik (transmitansi) lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan pada daya plasma 17.15 memiliki lebar pita 3.40 eV, sedangkan untuk lapisan tipis CdS yang ditumbuhkan pada daya plasma 22 W mempunyai lebar pita 2.20 eV. analisis sifat listrik (sheet resisance) menggunakan metode dua probe menunjukan lapisan tipis CdS 17.15 W memiliki sheet resistance sebesar 4.13E+08 Ω/m2, sheet resistance lapisan tipis ZnO:Al menurun dengan adanya penambahan daya plasma. Pada daya plasma 22 W, sheet resistance menjadi 2.94E+08 Ω/m2.

5 Kata Kunci dc magnetron sputtering, daya plasma, sifat listrik, sifat optik, struktur mikro, CdS

6 Referensi A. Podesta, N. Armani, G. Salviati, N.Romeo, A.Bosio,M. Prato. 2006. Influence of The Flourine Doping on The OpticalProperties Of CdS Thin Film For Photovoltaic. Elsevier Thin Solid Film. 511-512. h:448-452. Beiser, Arthur. 1981. Konsep Fisika Modern (terjemahan). Bandung: PT Gelora Angkasa Pratama. Compaan,Alvin D Gupta. Akhlesh, Lee. Sunghyun, Wang. Shanli, Drayton. Jennifer.2004. High Efficiency, Magnetron Sputtered CdS/CdTe Solar Cells. Elsevier solar energy. 77 h: 815-822 Fraden,Jacob. 1996. Handbook Of Modern Sensor. New York ;United Book Press Hai-Ning Chui dan Shi-Quan Shi. 1996. The Fabrication Of Dipped and Sputtered ITO Thin Film For Photovoltaic Solar Cell. Elsevier Thin Solid Film 288. h: 325-329. Hirose,Akira dan Longren, Karl E.1984. Introduction Wave Phenomena. New York: John Wiley & Sons. Kumar, Kiran Ch., Hoa, Nguyen Thi Quynh, Yoon, Soon-Gil, Kim, Eui-Tea. 2009. Highly Photoconductive CdS Thin Film Synthesized by Using Chemical Bath Deposition. Journal of The Korean Physical Society. Vol. 55, No. 1, h:284-287. Lawarence, H Robins, Jeremiah R. Lowney, and Dennis K. Wickenden. 1998. Chatodoluminescence, and Optikal Absorbance Spectroscopy of Aluminium Gallium Nitride (AlxGa1-xN) film. Jurnal mater. Res. Vol.13. no. 9 sep 1998 Omar, Ali M. 1975. ElementarySolid State Physics:Principles and Apllication. Canada:Addison Wesley Publishing Company Inc Purwaningsih, Y. S. 2003. Pembuatan Film tipis ZnO : Al Pada Substrat Kaca dengan Metode dc Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat Fisisnya. Yogyakarta: FISIKA FMIPA UGM (Tesis). Raji, P., Sanjeeviraja, C., Ramachandran, K. 2005. Thermal and Structural Properties of Spray Pyrolysed CdS Thin Film. Bull. Mater. Sci. Vol 28, No.3, h:233-238 Rio, R.S & Iida, M. 1982. Fisika dan Teknologi Semikonduktor. P.T. Pradnya Paramita: Jakarta. Sahay, P. P., Nath, R. K., Tewari, S., 2007. Optical Properties of Thermalli Evaporated CdS Thin Film. Cryst. Rest. Technol. 42, No. 3, h:275- 280 Smith, William F. 1993. Foundation of Materials Scince and Enginering (second edition). Singapor. Mc-Graw-Hill Booc Co. Shour, A. 2003. Physical Properties Of Spray Pyrolysed CdS Thin Films.Turk Journal Physycs. Vol.27,h: 551-558. Solymar, L, Walsh, D. 1998. Electrical Properties of Materials(sixth edition). New York: Oxford University Press. Suryadi, H. Sudjatmoko, Atmono, T. M. 2003. Fisika Plasma (Diktat Kuliah Workshop Sputtering Untuk Rekayasa Permukaan Bahan). Yogyakarta Puslitbang Teknologi Maju BATAN:8. Suryanarayana, C. And G.M. Nirton.1998. X-ray Diffraction A Partical Approach. New York: plenum Press. Sutrisno. 1986. Elektronika: Teori Dasar dan Penerapannya Jilid 1. Bandung; Penerbit ITB. Thambidurai, M., Murugan, N., Muthukumarasamy, N., Vasantha, S., Balasundaraprabhu, R., Agilan, S. 2009. Preparation and Characterization of Nanocrystalline CdS Thin Film. Chalcogenide Letters.Vol. 6, No. 4 h:171-179 Urbanczyk, Marian. Jakubik, Wieslaw. Maciak, Erwin. 2005. Sensor Properties of Cadmium Sulphide ( Cds ) Thin Film In Surface Acoustic Wave System-Preleminary Results. Molecular and Quantum Acoustics, vol 26 h:273-281 Wasa, K and Hayakawa, S. 1992. Hand Book Of Sputtering Deposition Tecnology. Principles, Technology and Apllication. Park Ridge. New Jersey. USA Noyes Publication. Youn, Kwan Sik. Yu, Kook Hyun. Song, Jin Soeb. Choi, In hwan.2005. Growth Of CdS Thin Film by using MOCVD With Single Source Precursor C10H20CdN2S4 or C14H28CdN2S4. Journal Of The Korean Physical Society.Vol. 47, No. 1 July 2005 p:89-93.

7 Terima Kasih http://unnes.ac.id