Uni Junction Transistor
UJT Unijunction Transistor UJT terdiri dari sebuah bahan-n dengan doping rendah (resistansi tinggi) dengan bahan-p ditumbuknan di sisinya. UJT sering digunakan sebagai pemicu untuk devais SCR dan TRIAC. Struktur dan simbol
UJT Unijunction Transistor UJT adalah devais switching, UJT bukan sebuah penguat. Ketika tegangan emitor mencapai VP (titik puncak), UJT terpicu, dan turun melalui wilayah resistansi negatif yang tidak stabil dan menghasilkan sebuah pulsa arus yang cepat.
UJT Unijunction Transistor Rangkaian ekivalen UJT adalah dioda terhubung ke pembagi tegangan. Resistansi bawah (r'B1) berbanding terbalik dengan arus emitor. Ketika junction pn mencapai tegangan bias maju, resistansi junction r'B1 tiba-tiba turun, dan arus turun tiba-tiba.
UJT Unijunction Transistor Paramenter penting UJT adalah h, yang merupakan rasio kebuntuan intrinsik (intrnsic standoff ratio). h merupakan rasio resistansi r'B1 dengan resistansi antar basis r'BB saat tidak ada arus.
UJT Unijunction Transistor Berikut ini rangkaian menggunakan UJT untuk memicu SCR. UJT memberikan sebuah pulsa arus ke gate SCR. Pengaturan R1 menentukan kapan kebakaran UJT. Dioda mengisolasi UJT dari bagian negatif dari ac. UJT menghasilkan pulsa arus cepat dan dapat diandalkan untuk SCR, sehingga memicu di tempat yang sama setiap siklus.
PUT Programmable Unijunction Transistor PUT adalah thyristor dengan gate a digunakan sebagai devais switching sensitif. Pulsa gate memicu peningkatan tajam dalam arus pada output. Karakteristik PUT adalah mirip dengan UJT dengan rasio kebuntuan intrinsik dapat "diprogram" dengan resistor eksternal dan UJT memiliki rasio tetap.
PUT Programmable Unijunction Transistor PUT digunakan untuk drive SCRs dan triacs dan juga dapat digunakan dalam osilator relaksasi. Untuk rangkaian isolator, R1 harus cukup besar untuk membatasi arus kurang dari arus lembah (IV). Periode osilasi diberikan oleh:
PUT Programmable Unijunction Transistor Berapa h rasio kebuntuan intrinsik, dan periode rangkaian? 0.33 0.89 ms