Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Annisa Kamilla Mardhiyyah

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "Annisa Kamilla Mardhiyyah"— Transcript presentasi:

1 Annisa Kamilla Mardhiyyah
KELOMPOK 1 Mega Ayuamartha Putri Annisa Kamilla Mardhiyyah Muhammad Ikram Azhari Elsa Krismonti Julia Pratiwi Yuri Otari Ollinka

2 DIODA SAMBUNGAN JENIS P-N (P-N JUNCTION)
Bila bahan Germanium jenis P disambungkan dengan jenis N, maka akan terjadi suatu Dioda (P-N Junction) di mana Germanium jenis P berfungsi sebagai Anoda, sedangkan Germanium jenis P berfungsi sebagai Katoda.

3 Dioda diatas hanya melakukan arus listrik bila Anodanya lebih positif dari Katodanya. Aliran listriknya disebut Aliran Arah Maju atau Forward Bias. Dalam keadaan ini seolah olah ada gerakan elektron dari kutub Negatif (Jenis N) ke hole hole di kutub Positif (Jenis P). Sebaliknya bila Anodanya lebih negatif dari katodanya, maka elektron di kutub negatif tidak bergerak ke kutub positif. Dalam hal ini aliran listriknya disebut Aliran Arah Mundur atau Reserve Bias. Dan pada kondisi ini arus listrik tidak dapat dilakukan ( Di Stop).

4 Bila tegangan arah mundur terus diperbesar, maka suatu saat dioda tersebut tak mampu lagi menahannya, sehingga terjadi Breakdown. Pada kondisi ini arus listrik akan mengalir dengan cepat sekali (Reserve Conduction). Prinsip prinsip reserve conduction ini nantinya akan diterapkan pada dioda yang dinamakan Zener Diode, dan digunakan untuk rangkaian rangkaian yang berfungsi untuk menstabilkan tegangan.

5 DAERAH DEPLESI Dikarenakan adanya gaya tolak-menolak antar elektron bebas pada daerah semikonduktor N, maka elektron bebas pada sisi N akan berdifusi atau menyebar ke segala arah dan sebagiannya menyebar melewati junction dan masuk ke daerah semikonduktor P. Jika sebuah elektron meninggalkan sisi N maka akan terbentuk ion positif di sisi N. Elektron yang melompat ke sisi P menjadi pembawa minoritas karena di sisi P banyak terdapat hole sebagai pembawa mayoritas. Elektron bebas yang melompat ke sisi P tidak berlangsung lama karena akan segera jatuh ke hole pada sisi P dan akan terbentuk ion negatif di sisi P. Ion-ion tersebut akan tetap pada struktur kristal atom karena adanya ikatan kovalen dan tidak dapat bergerak seperti elektron bebas dan hole. Jika jumlah ion positif dan negatif disekitar junction semakin bertambah banyak maka daerah disekitar junction ini akan dikosongkan dari elektron bebas dan hole dan kita sebut daerah kosong (depletion layer).

6 DAERAH DEPLASI

7 Sumber : Soedarto, Gatot Dasar Dasar Sistem Digital. Surabaya : Usaha Nasional. epletion-layer/ smkn7.blogspot.co.id/2011/10/dioda.html


Download ppt "Annisa Kamilla Mardhiyyah"

Presentasi serupa


Iklan oleh Google