Bab 9 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Presentasi berjudul: "Bab 9 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)"— Transcript presentasi:

1 Bab 9 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
By : M. Ramdhani

2 depletion MOSFET

3 Saat GS=0  ID=IDSS diharapkan deplesi maksimum, saat GS (-) Gate akan mendorong e pd n dan menarik hole pd p deplesi semakin tebal sehingga semakin negatif GS arus ID semakin kecil, saat GS (+) Gate akan menarik e pd n dan hole pd p ke arah sambungan substrat sehingga deplesi terbuka arus semakin besar

4 Kurva Karakteristik

5 Daerah Ohmic/Trioda

6 Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi

7 Simbol d-MOSFET

8 enhancement MOSFET Saat GS=0  ID=0, saat GS (+) maka hole pada p tertekan kearah ujung substart akan menimbulkan kekosongan hole yang diisi oleh e sehingga muncul lapisan e, lapiasn e membenuk n sehingga ID bisa mengalir. GS yg menghasilkan arus pertama kali disebut VGS threshod  VT

9 Kurva Karakteristik

10 Daerah Ohmic/Trioda

11 Daerah Aktif/ Pinch Off

12 Simbol e-MOSFET

13 Karakteristik FET Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas saja. Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan tempat lebih sedikit dalam IC. Rin tinggi (ratusan M). Derau lebih rendah dibandingkan transistor bipolar. Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi lebih kecil. gm FET < gm transistor bipolar. Konsumsi daya kecil

14 Prategangan MOSFET VT = VGS threshold saat ID pertamakali ada, ID(on) adalah nilai arus maksimum pada kurva dan VGS(on) adalah nila tegangan saat ID(on)

15 Feedback Biasing

16 Feedback Biasing

17 Voltage Divider Biasing

18 Voltage Divider Biasing