Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat

Presentasi berjudul: "Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat"— Transcript presentasi:

1 Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat

2 Penguiat Tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan

3 VTC Saat input vGS kurang dari Vt FET cut-off
Saat input vGS melampaui Vt FET arus mulai mengalir VD turun MOSFET masuk mode saturasi Saat input vGS naik dan vDS turun hingga vDS sama vOV MOSFET masuk mode trioda

4 Tegangan Bias untuk Penguat Linier
Pilih titik kerja DC pada keadaan arus tidak ditentukan tegangan drain-source (saturasi)

5 Penguatan Tegangan Sinyal Kecil

6 Penguatan Tegangan Sinyal Kecil
Bila vgs kecil maka vds dapat mendekati proposi dari vgs Penguatan di titik kerja penguatan negatif sebanding resistansi dan transkonduktansi Arus DC penguatan menjadi

7 Contoh 5.9 Penguat MOSFET mempunyai Vt 0,4V, kn’ 0,4mA/V2, W/L 10, dan l=0. Bila VDD 1,8V, RD 17,5kW, dan VGS 0,6V, tentukan VOV, ID, VDS, dan Av dan berapa swing maksimum simetri pada drain serta swing pada gatenya

8 Contoh 5.9 Arus drain DC Tegangan drain-source Penguatan

9 Contoh 5.9 Tegangan DC drain source VDS 0,4V dan VOV 0,2V maka agar MOSFET masih saturasi VDS minimum 0,2V atau magnituda swing output 0,2V Perhitungan amplituda tegangan swing input kasar Perhitungan lebih baik bila vgs diperhitungkan saat menentukan batas saturasi

10 Contoh 5.9 Perhitungan lebih teliti dari batas saturasi

11 VTC dengan Analisis Grafis
Persamaan arus tegangan

12 Menentukan Tegangan Maksimum dan Minimum
Batas tegangan output maksimum saat Cut-off Batas tegangan output maksimum saat Trioda

13 Menentukan Titik Kerja Q
Untuk VGS sama Resistansi tinggi cenderung mendekati trioda Resistansi rendah cenderung mendekati cut-off