Pengantar Rangkaian Transistor

Presentasi berjudul: "Pengantar Rangkaian Transistor"— Transcript presentasi:

1 Pengantar Rangkaian Transistor

2 Defenisi & Fungsi Transistor adalah komponen elektronika yang dapat berfungsi sebagai penguat baik arus maupun tegangan dan juga berfungsi sebagai Saklar (maksimum cut-off dan minimum Saturasi) Fungsi Utama sebagai Amplifier  mempunyai faktor Penguat Arus (Current gain) yang disebut dengan hFE.

3 Konsep Transistor PNP NPN a

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19 Bias Transistor Masalah pemberian bias berkaitan dengan:
penentuan arus dc pada collector yang harus dapat dihitung, diprediksi dan tidak sensitif terhadap perubahan suhu dan variasi harga β yang cukup besar. Penentuan lokasi titik kerja dc pada bidang iC – vCE yang memungkinkan simpangan sinyal tetap linier.

20 Pemberian bias pada rangkaian BJT
Masalah pemberian bias berkaitan dengan: penentuan arus dc pada collector yang harus dapat dihitung, diprediksi dan tidak sensitif terhadap perubahan suhu dan variasi harga β yang cukup besar. penentuan lokasi titik kerja dc pada bidang iC – vCE yang memungkinkan simpangan sinyal tetap linier. Pemberian bias dengan menentukan tegangan VBE yang tetap, misalnya dengan menggunakan pembagi tegangan dari catu daya seperti yang terlihat pada gambar 43 (a). Teknik ini tidak baik karena hubungan eksponensial iC – vCE yang sangat tajam sehingga jika ada perbedaan pada VBE yang diinginkan akan menimbulkan perbedaan besar pada IC dan VCE. pemberian bias dengan memberikan arus konstan pada base, seperti pada gambar 43(b), dimana IB ≈ (VCC – 0,7)/RB, juga tidak dianjurkan. Adanya variasi yang besar pada β akan menghasilkan variasi yang besar pada IC dan VCE.

21 Contoh pemberian bias yang tidak baik
Pemberian bias dengan menentukan tegangan VBE yang tetap, misalnya dengan menggunakan pembagi tegangan dari catu daya seperti yang terlihat pada gambar 43 (a). Teknik ini tidak baik karena hubungan eksponensial iC – vCE yang sangat tajam sehingga jika ada perbedaan pada VBE yang diinginkan akan menimbulkan perbedaan besar pada IC dan VCE. pemberian bias dengan memberikan arus konstan pada base, seperti pada gambar 43(b), dimana IB ≈ (VCC – 0,7)/RB, juga tidak dianjurkan. Adanya variasi yang besar pada β akan menghasilkan variasi yang besar pada IC dan VCE. Gambar 19. Pemberian bias pada BJT Menetapkan harga VBE yang tetap Menetapkan harga IB yang tetap

22 Cara klasik pengaturan bias untuk rangkaian diskrit
Gambar 20(a). Cara klasik pemberian bias untuk BJT menggunakan sebuah catu daya. Gambar 20(b) menunjukkan rangkaian yang sama dengan menggunakan rangkaian ekivalen Thévenin-nya.

23 Untuk membuat IE tidak sensitif terhadap suhu dan variasi β, rangkaian harus memenuhi dua syarat berikut:

24 Untuk memenuhi persyaratan di atas.
Sebagai ‘rule of thumb’, VBB ≈ ⅓ VCC, VCB (atau VCE) ≈ ⅓ VCC dan ICRC ≈ ⅓ VCC Pilih R1 dan R2 sehingga arus yang melaluinya berkisar antara 0,1IE – IE. Pada rangkaian pada gambar 20, RE memberikan umpan balik negatif sehingga dapat men-stabil-kan arus dc emitter. Jika IE ↑ → VRE dan VE ↑. Jika tegangan pada base hanya ditentukan oleh pembagi tegangan R1, R2, yaitu bila RB kecil, maka tegangan ini akan tetap konstan, sehingga jika VE ↑ → VBE ↓ → IC (dan IE) ↓. Beberapa hal yang harus diperhatikan: VBB >> VBE: untuk harga VCC tertentu, makin besar VBB, makin kecil jumlah tegangan pada RC dan tegangan CBJ (VCB). untuk mendapatkan penguatan tegangan yang besar dan simpangan sinyal yang besar (sebelum transistor jenuh), maka tegangan pada RC harus besar. VCB (atau VCE) harus besar untuk memperoleh simpangan sinyal yang besar (sebelum transistor cut off) Untuk memenuhi persyaratan yang bertentangan, maka harus dicari solusi kompromi. Sebagai ‘rule of thumb’, VBB kira-kira ⅓ VCC, VCB (atau VCE) kira-kira ⅓ VCC dan ICRC kira-kira ⅓ VCC IE tidak sensitif terhadap perubahan β → pilih RB yang kecil → R1 dan R2 kecil → makin besar arus dari catu daya dan menurunkan resistansi masukan penguat. Tegangan base tidak tergantung dari harga β dan hanya ditentukan oleh pembagi tegangan → arus pada pembagi tegangan harus >> arus base. Biasanya R1 dan R2 dipilih sehingga arus yang melaluinya berkisar antara 0,1IE – IE.

25 Contoh soal 5: Rancanglah rangkaian pada gambar 20 sehingga IE = 1 mA dengan catu daya VCC = +12V. Transistor mempunyai harga nominal β = 100. Jawab: Ikuti ‘rule of thumb’: ⅓ tegangan catu daya dialokasikan untuk tegangan pada R2, ⅓ lainnya untuk tegangan pada RC dan sisanya untuk simpangan sinyal pada collector. VB = +4 V VE = 4 – VBE ≈ 3,3 V Pilih arus pada pembagi tegangan = 0,1IE = 0,1 x 1 = 0,1 mA

26 Abaikan arus base, jadi Jadi R2 = 40 kΩ dan R1 = 80 kΩ Pada tahap ini, dapat dihitung IE yang lebih akurat dengan memperhatikan arus base yang tidak nol. Ternyata lebih kecil dari harga yang diinginkan. Untuk mengembalikan IE ke harga yang diinginkan kurangi harga RE dari 3,3 kΩ dengan suku kedua dari penyebut (0,267 kΩ). Jadi harga RE yang lebih tepat adalah RE = 3 kΩ yang akan menghasilkan IE = 1,01 mA ≈ 1 mA.

27 Disain 2: jika diinginkan untuk menarik arus yang lebih tinggi dari catu daya dan resistansi masukan penguat yang lebih kecil, kita dapat menggunakan arus pada pembagi tegangan sama dengan IE (yaitu 1 mA), maka R1 = 8 kΩ dan R2 = 4 kΩ Pada disain ini harga RE tidak perlu diganti

28 p Contoh Diketahui R1=6k8, R2=1k, Rc=3k dan Re=750, gambarkanlah garis beban dc dan tunjukkan titik Q-nya

29 Cara kerja dan model sinyal kecil
Gambar 24 (a) Rangkaian konseptual untuk menunjukkan cara kerja transistor sebagai penguat (b) Rangkaian (a) tanpa sinyal vbe untuk analisa DC (bias)

30 EBJ diberi forward bias oleh sebuah batere VBE
EBJ diberi forward bias oleh sebuah batere VBE. CBJ diberi reverse bias oleh catu daya DC VCC melalui resistor RC. Sinyal yang akan diperkuat, vbe, ditumpangkan pada VBE. Langkah pertama keadaan bias DC dengan men-set vbe sama dengan nol. (Lihat gambar 24(b)) Hubungan antara arus dan tegangan DC: Untuk bekerja pada mode aktif, VC harus lebih besar dari (VB – 0,4) dengan harga yang memungkinkan simpangan sinyal pada collector.

31 Arus collector dan transkonduktansi.
Jika sinyal vbe dipasangkan seperti pada gambar 24(a) total tegangan base – emitter vBE menjadi vBE =VBE + vbe Dan arus collector menjadi:

32 Jika vbe << VT maka:
Persamaan (pendekatan) di atas hanya berlaku untuk vbe lebih kecil dari 10 mV, dan ini dikenal dengan pendekatan sinyal kecil. Maka arus collector total: gm disebut transkonduktansi

33 Penguatan tegangan Untuk mendapatkan tegangan sinyal keluaran, maka kita alirkan arus collector melalui sebuah resistor. Total tegangan collector: vC = VCC – iCRC = VCC – (IC + ic)RC = (VCC – ICRC) – icRC = VC – icRC VC adalah tegangan bias dc pada collector, dan tegangan sinyal adalah: vc = –icRC = –gmvbeRC = (–gmRC)vbe

34 Jadi penguatan tegangan dari penguat, Av adalah
gm sebanding dengan arus bias collector, jadi

35 Analisa Sinyal dan Analisa DC
Arus dan tegangan pada rangkaian penguat terdiri dari dua komponen: komponen dc dan komponen sinyal. Komponen DC ditentukan dari rangkaian dc pada gambar 24(b), sedangkan cara kerja sinyal BJT dapat diperoleh dengan menghilangkan sumber DC, seperti pada gambar 26. Karena tegangan dari catu dc tidak berubah, tegangan sinyal di antaranya akan sama dengan nol. Oleh sebab itu sumber tegangan dc dapat diganti dengan hubung singkat. Jika rangkaian mempunyai sumber arus dc, maka sumber ini dapat diganti dengan hubung terbuka. Gambar 50 juga menunjukkan ekspresi untuk arus incremental (ie, ib dan ic) jika sinyal kecil vbe dipasangkan. Hubungan ini dapat digambarkan dengan sebuah rangkaian yang mempunyai 3 terminal – C, B, dan E – dan harus menghasilkan arus pada terminal seperti pada gambar 50. Rangkaian ini adalah rangkaian pengganti untuk transistor jika yang diperhatikan adalah operasi sinyal kecil. Inilah model rangkaian sinyal kecil Gambar 26 Rangkaian penguat pada gambar 24b dengan sumber DC dihilangkan (di hubung singkat)

36 Model Hybrid - π Gambar 27 (a) BJT sebagai VCCS (penguat transkonduktansi) Gambar 27 (b) BJT sebagai CCCS (penguat arus)

37 Pada gambar 27(a), BJT digambarkan sebagai VCCS yang mempunyai resistansi masukan (melihat ke arah base) rπ, dengan sinyal kendali vbe. Hubungan arus dan tegangan pada rangkaian ini: Catatan: rangkaian ekivalen sinyal kecil pada gambar 51 merupakan model operasi BJT pada titik bias tertentu parameter model gm dan rπ tergantung dari arus bias IC. model ini berlaku untuk npn dan pnp tanpa mengubah polarisasi Pada gambar 27(b) BJT digambarkan sebagai CCCS, dengan sinyal kendali ib. Hubungan arus sebagai berikut:

38 Aplikasi rangkaian ekivalen sinyal kecil.
Proses yang sistimatis dalam menganalisa penguat transistor: Tentukan titik kerja dc BJT, terutama arus collector dc IC. Hitung harga-harga parameter model sinyal kecil: gm = IC/VT, rπ = β/gm dan re = VT/IE = α/gm. Hilangkan semua sumber dc dengan mengganti sumber tegangan dc dengan hubung singkat, dan sumber arus dc dengan hubung terbuka. Ganti BJT dengan salah satu model rangkaian ekivalen. Analisa rangkaian yang didapat untuk menentukan penguatan tegangan, resistansi masukan dan lain-lain.

39 Contoh soal 6: Analisa penguat transistor pada gambar 28(a) dan tentukan penguatan tegangannya. Asumsikan β = 100 Gambar 28 (a) rangkaian

40 Gambar 28 (b) analisa dc (c) model sinyal kecil

41 Tentukan titik kerja. Asumsikan vi = 0.
Karena VB (+0,7 V) < VC → transistor bekerja pada mode aktif.

42 Tentukan parameter model sinyal kecil:

43 Model rangkaian ekivalen terlihat pada gambar 28(c).
Perhatikan tidak ada sumber tegangan dc. Terminal rangkaian yang terhubung ke sebuah sumber tegangan dc yang konstan selalu dapat dianggap sebagai sinyal ‘ground’. Tanda negatif menunjukkan pembalikan fasa.

44