Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR b Struktur Fisik Transistor Bipolar b Karakteristik Terminal b Arus Terminal Aktif Forward b Penguat Arus Aktif Forward b.

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR b Struktur Fisik Transistor Bipolar b Karakteristik Terminal b Arus Terminal Aktif Forward b Penguat Arus Aktif Forward b."— Transcript presentasi:

1 KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR b Struktur Fisik Transistor Bipolar b Karakteristik Terminal b Arus Terminal Aktif Forward b Penguat Arus Aktif Forward b Model Ebers-Moll (cont.)

2 Struktur Fisik Transistor Bipolar b Struktur Fisik Transistor Bipolar : b Terdapat Dua jenis Transistpr bipolar: NPN BJT PNP BJT b NPN BJT: Daerah Emiter : lapisan tipe n yang dihubungkan dengan lapisan polysilicon n +. Daerah Basis : Lapisan p Daerah Kolektor : Lapisan n b Simbol Rangkaian Transistor

3 Karakteristik Terminal b Daerah Operasi BJT npn dan pnp b Karakteristik BJT npn b Daerah arus konstan disebut Forward active, (  F = Penguat arus forward): b Daerah tegangan konstan disebut saturasi

4 Karakteristik Terminal (cont) b Cut-off terjadi jika : I B = 0, sehingga I C = 0 Untuk  F = 100 (gambar disamping) I C bertambah jika V CE bertambah b V CE < 0 I C Negatif b Penguat arus aktif reverse (  R )  R = I E /I B. dan, - I C = I E + I B = (  R +1) I B. b Gambar disamping untuk  R = 3

5 Arus Terminal Aktif Forward b Fisik BJT satu dimensi (arah X): b Pembawa minoritas pada seimbang- panas (emiter,basis dan Kolektor): b Potensial elektrostatis & konsentrasi pembawa minoritas (cm -3 ): N dE =10 19, N aB =10 17, N dC =10 16.

6 Penguat Arus Aktif Forward b Arus Kolektor = Rapat Arus difusi elektron x Luas Emiter b Arus Basis = Rapat arus difusi hole x Luas Emiter b Arus Emiter ( I E ) = - ( I B +I C ) b Perbandingan Arus Kolektor dan Magnitude arus emiter : b Untuk, N dE =10 19, N aB =10 17, N dC = b Karena,

7 Penguat Arus Aktif Forward ( cont) b Maka: b Daerh saturasi terjadi pada : b Sifat dari keadaan ini, menunjukan hubungan emiter-basis dan basis- kolektor dalam bias forward. b Arus difusi elektron terpisah dalam dua komponen yaitu: hubungan emiter- basis dan basis-kolektor b Hubungan tersebut adalah:

8 Model Ebers-Moll b Arus difusi Elektron : b Arus emiter terdiri dari 3 komponen: 1. -I 1 yang disebabkan injeksi elektrron dari hubungan emiter-basis 2. -I 1 /  F yang disebabkan injeksi balik dari hole ke emiter. 3. I 2, yang disebabkan kumpulan elektron dari hubungan basis -kolektror b Atau dapat dinyatakan: b Arus kolektor terdiri dari 3 komponen: 1. -I 2 yang disebabkan injeksi elektrron dari hubungan basis- kolektor 2. -I 2 /  R yang disebabkan injeksi balik dari hole ke kolektor. 3. I 1, yang disebabkan kumpulan elektron dari hubungan emiter-basis

9 Model Ebers-Moll (cont.) b Atau dapat dinyatakan: b Di mana penguat arus revers, b Bentuk standar dari persamaan Ebers- Moll didefinisikan dari 2 komponen: b sehingga arus Emitter: b Dan arus kolektor b Arus kolektor dan emiter merepresentasikan dua buah dioda dengan pengendali sumber arus yang menggandengkan emiter dan kolektor b Bentuk equivalen dari rangkaian Ebers- Moll, dengan:

10 Model Ebers-Moll (cont.) b Model aktive-Forward:

11 Model Ebers-Moll (cont.) b Bentuk equivalennya: b Ganti Diaoda bias-forward dengan battere 0,7 V.


Download ppt "KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR b Struktur Fisik Transistor Bipolar b Karakteristik Terminal b Arus Terminal Aktif Forward b Penguat Arus Aktif Forward b."

Presentasi serupa


Iklan oleh Google