Daerah Operasi Transistor

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.
Advertisements

DIODA.
Sistem Kendali Elektronik
Rangkaian Dasar Transistor
Sistem digital SISTEM KOMPUTER UNIVERSITAS NAROTAMA.
Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik UNTIRTA
Dioda Ideal.
BIJUNCTION TRANSISTOR
Analisis Penguat Sinyal Kecil
Teknik Elektro Universitas Gunadarma
Rangkaian Logika Digital CMOS
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Rangkaian Logika Digital CMOS
Mata kuliah Elektronika Analog
Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR
Jurusan Teknik Elektro FT. Untirta
MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Sistem Digital.
TRANSISTOR TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2015/2016
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Departemen Sistem Komputer
Menguji DC power dan peralatan rectifier
MATERI : Evaluasi Transistor
ELEKTRONIKA SEMIKONDUKTOR
Sensor infrared Oleh: Sri Supatmi.
BAB 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
DIODA.
Penguat-Penguat Emitor Sekutu Transistor BJT
Mata kuliah Elektronika Analog
Pengertian thyristor  Thyristor merupakan salah satu devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian.
Mata kuliah Elektronika Analog
TRANSISTOR 1 TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013
RANGKAIAN ELEKTRONIKA
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
T R A N S I S T O R.
Analisis AC pada transistor BJT
Prodi D3 TeknIk Komputer
UNIVERSITAS TRUNOJOYO
Transistor Gabriel Sianturi MT.
Analisis AC pada transistor BJT
Pertemuan 20 PENGUAT DAYA KELAS C
UNIVERSITAS TRUNOJOYO
TEKNIK DIGITAL Pengantar Sistem Digital Oleh : Prin Stianingsih, S.ST
DIODA by IMAM SYAFII, M.Eng.
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
TEKNIK DIGITAL Bab I Pengantar Teknik Digital Oleh : M. Andang N
RANGKAIAN DIGITAL Bab I Pengantar Sistem Digital Oleh : Indra Gunawan ST. M,Pd Jun-18 Teknik Digital.
PERTEMUAN 3.
Bahasan : Audio Amplifier
Aplikasi & grafik karakteristik transistor
Sistem digital UNIVERSITAS TRUNOJOYO D3 MANAJEMEN INFORMATIKA
DIODA.
UNIVERSITAS TRUNOJOYO
oleh Ir. Bambang Sutopo,M.Phil Jurusan Teknik Elektro FT-UGM 2007
Daerah Operasi Transistor
ELEKTRONIKA 1 Teknik Elektro-UNIKOM
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Penguat frekuensi menengah CE
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Percobaan 1 Tahap Akhir Penguat
TEKNIK DIGITAL Bab I Pengantar Sistem Digital Oleh : Johansyah
Transistor cut-off & saturasi
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
 Bohr : model atom : inti dikelilingi oleh elektron2 yang mengitari. Inti bermuatan positip dan menarik elektron2. Elektron2 akan jatuh pada inti bila.
Transcript presentasi:

Daerah Operasi Transistor

Sebuah Transistor memiliki empat daerah Operasi Transistor : Daerah Aktif Daerah CutOff Daerah Saturasi Daerah Breakdown

Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (Rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC - ICRC Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :  PD = VCE.IC  Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya

Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar. 

Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.

Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (On) menjadi keadaan mati (Off). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.  

Rangkaian Driver LED Misalkan pada rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan adalah transistor dengan β = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika (logic gate)  dengan arus output high = 400 uA dan diketahui tegangan forward LED, VLED = 2.4 volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya resistansi RL yang dipakai. 

IC = β IB = 50 x 400 uA = 20 mA Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off. Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian ini.  RL = (VCC - VLED - VCE) / IC = (5 - 2.4 - 0)V / 20 mA = 2.6V / 20 mA = 130 Ohm  

Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCEmax yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. VCEmax pada data book transistor selalu dicantumkan juga.

Garis Beban Transistor Garis beban sangat penting dalam menggambarkan karakteristik sebuah Transistor, garis beban mencakup setiap kemungkinan titik operasi rangkaian. Dengan kata lain bila hambatan pada Basis bervariasi mulai dari nol sampai tak terhingga maka akan menyebabkan Arus Basis (IB) menjadi berubah sehingga Arus Colector (IC) dan VCE pun akan bervariasi pada daerah masing-masing.

Bila kita menggambarkan nilai IC dan VCE untuk tiap nilai IB yang mungkin, maka kita akan memperoleh gambaran mengenai Grafik GAris Beban, dengan kata lain Garis Beban adalah sebuah Kesimpulan Visual dari semua yang memungkinkan Titik Operasi Transistor Contoh : ?

Titik Jenuh Terjadi bilamana hambatan pada Basis terlalu kecil sehingga arus kolektor menjadi sangat besar dan tegangan kolektor emitor menjadi rendah mendekati nol, pada keadaan ini Transistor berada pada kondisi Jenuh artinya Arus Kolektor meningkat mendekati nilai maksimum.

Titik Cutoff Keadaan dimana garis Beban berpotongan dengan daerah Cutoff Kurva Colektor hal ini disebabkan karena arus kolektor adalah sangat kecil, sehingga titik cutoff hampir menyentuh ujung bawah garis beban, dengan kata lain Titik cutoff menyatakan bahwa Tegangan Colektor Emitor adalah tegangan maksimum yang mungkin dalam rangkaian.