Transistor Gabriel Sianturi MT.

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.
Advertisements

Rangkaian Elektronika
Sistem Kendali Elektronik
(BIJUNCTION TRANSISTOR)
Rangkaian Dasar Transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Elektronika 1 (Minggu 7) Transistor Bipolar.
Elektronika Dasar (Minggu 8)
transistor Nama Kelompok : 1. Puspa Rizky Trisnaningtyas
SEMI KONDUKTOR setengah penghantar (konduktivitasnya berada antara konduktor dan isolator) terdapat pada kolom IV dari sistem periodik; Contoh: silikon.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
TRANSISTOR BIPOLAR Tiga daerah DOP
KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR
Teknik Elektro Universitas Gunadarma
ELEKTRONIKA DASAR T.ELEKTRO.
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
Mata kuliah Elektronika Analog
Pengantar Rangkaian Transistor
DIODA.
Jurusan Teknik Elektro FT. Untirta
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Sistem Digital.
TRANSISTOR TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2015/2016
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Depletion Layer dan P-N Junction
MIKROELEKTRONIKA Dioda Semikonduktor uigm.
ELEKTRONIKA SEMIKONDUKTOR
BAB 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Mata kuliah Elektronika Analog
Pengertian thyristor  Thyristor merupakan salah satu devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian.
Transistor.
Mata kuliah Elektronika Analog
TRANSISTOR 1 TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013
Daerah Operasi Transistor
Pendahuluan Elektronika Industri
FET DAN MOSFET.
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
TRANSISTOR II.
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
T R A N S I S T O R.
Prodi D3 TeknIk Komputer
Semikonduktor Gabriel Sianturi MT.
Prodi D3 TeknIk Komputer
Dasar Transistor TK – ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
Dioda Gabriel Sianturi MT.
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Dioda Semikonduktor.
PERTEMUAN 3.
Dasar Transistor TK – ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
Depletion Layer dan PN Junction
DIODA.
A. COUPLING PENGUAT Yaitu Merupakan penghubung antara 2 penguat, macam-macamnya adalah: 1. RC Coupling Sering disebut coupling kapasitif dengan menggunakan.
Daerah Operasi Transistor
ELEKTRONIKA 1 Teknik Elektro-UNIKOM
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Transistor.
Penguat frekuensi menengah CE
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
PERTAMA DIPERKENALKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA ADALAH
Transistor cut-off & saturasi
DIODE Dioda adalah komponen elktronik yang dapat melewatkan arus listrik untuk bergerak dalam satu arah dari polaritas (+) ke polaritas (-) atau ke lainnya.
KOMPONEN – KOMPONEN ELEKTRONIKA
UNIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
DIODA SEMIKONDUKTOR.
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
Elektronika Industri Teknik Elektro Universitas Gunadarma.
Transcript presentasi:

Transistor Gabriel Sianturi MT

Transitor Adalah…. Transistor : suatu komponen elektronika yang terbuat dari material semikonduktor yang mempunyai 3 terminal. Fungsi a.l: - penguat - switch - pengatur tegangan

Sejarah Menggantikan tabung hampa Tabung hampa: dimensi besar, berat, mudah pecah, menghasilkan panas yang besar, membutuhkan daya yang besar Transistor ditemukan oleh William Shockley dkk dari Bell Telephone Laboratories pada tahun 1947

Bipolar Junction Transistor (BJT) Terbuat semikonduktor yang mempunyai 3 daerah yang didoping - 2 daerah tipe n dan 1 daerah tipe p (npn) - 2 daerah tipe p dan 1 daerah tipe n (pnp) Transisitor Bipolar: bekerja dengan 2(bi) jenis muatan yaitu elektron dan hole

NPN Dua daerah n masing-masing dinamakan emitter (emitor) dan collector (kolektor) Daerah p dinamakan base (basis) Emitter didoping berat (heavily doped) Base sangat tipis dan didoping ringan (light doped) Dibuat terminal untuk setiap daerah collector base emitter

NPN Terdiri dari 2 junction - 1 antara emitter dan base - 1 antara base dan collector Transistor serupa dengan 2 dioda - emiiter diode - collector diode

NPN Elektron bebas pada daerah n akan berdifusi melewati junction dan berekombinasi dengan hole pada daerah p. Terbentuk 2 lapisan pengosongan (depletion layer) pada junction Barrier pontential : 0.7 V (Si) dan 0.3 (Ge)

npn dan pnp Transistor tipe npn dan pnp

Biased Transistor Emitter diode dipanjar maju (forward biased) Collector diode dipanjar mundur (reverse biased) Ketika panjar maju mula-mula diberikan pada emitter diode, elektron pada emitter belum memasuki daerah base

Aliran Elektron Jika VBB lebih besar dari barrier potential - Elektron bebas akan memasuki base. - Karena base tipis dan didoping ringan, elektron pada base mempunyai banyak waktu untuk berdifusi menuju collector - Hanya sedikit elektron yang ada base akan menuju terminal positif VBB (kurang dari 5% untuk kebanyakan transistor)

Arus Transistor Aliran elektron Aliran konvensional IE = arus emitter IB = arus base IC = arus collector

Arus Transistor Dari Hukum Kirchoff untuk Arus: IE= IC + IB Hampir semua elektron emitter mengalir ke collector, sehingga IC=IE Current gain (penguatan arus) transistor β, adalah arus collector dibagi dengan arus base β= 100 – 300 untuk transistor daya rendah β = 20 – 100 untuk transistor daya tinggi

Analogi Analogi water tank C Aliran air melalui C dan E dikontrol oleh aliran melalui B B E

Rangkaian Common Emittor Ground dari setiap sumber tegangan dihubungkan dengan emitter VBB= sumber tegangan (5 -15 V untuk rangkaian daya rendah) Arus base IB dikontrol oleh nilai VBB dan atau RB VCC= sumber tegangan VCC reversed biased collector diode VCE= tegangan antara collector dan emitter (1-15 V untuk rangkaian daya rendah)

Rangkaian Common Emittor

Kurva Base Kurva base mirip dengan kurva dioda Contoh: VBE = 0.7 V (untuk transistor silikon) = 0.3 V (untuk transistor germanium)

Kurva Collector Ditentukan IB= 10 μA VCC ditentukan IC dan VCE diukur dan diplot

Kurva Collector VCE = 0 : collector diode tidak reverse bias, IC = 0 VCE antara 0 dan 1 V : IC naik dan kemudian konstan IC konstan untuk 1mA untuk setiap nilai VCE antara 1V-40V Jika VCE > 40V, IC naik dengan cepat dan transistor pada daerah breakdown Dari hukum Kirchoff untuk tegangan: Daya yang didisipasikan transistor

Kurva Collector Ditentukan IB= 20μA Arus Collector IC= 2mA Penguatan arus: Daerah saturasi Daerah Aktif Daerah Breakdown

Daerah Operasi 1. Daerah Aktif : - daerah operasi normal transistor - emitter diode: forward bias, collector diode: reverse bias 2. Daerah Breakdown - transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini karena dapat merusak transistor tersebut 3. Daerah Saturasi - Daerah dimana VCE antara 0-1V - Collector diode tidak reverse bias 4. Daerah cutoff IB= 0 tetapi ada arus collector IC yang sangat kecil Arus tersebut dinamakan arus collector cutoff Disebabkan reverse minority current dan surface-leakage current

Garis Beban Garis beban (load line) : - Garis yang digambar diatas kurva collector untuk menunjukkan setiap titik operasi yang mungkin dari transistor

Titik Saturasi Dan Cuttoff Titik saturasi: titik dimana garis beban memotong daerah saturasi dari kurva collector Titik saturasi - arus collector maksimum pada rangkaian Titik cutoff : titik dimana garis beban memotong daerah cuttoff pada kurva collector Titik cutoff: - tegangan collector emitter maksimum pada rangkaian