Daerah Operasi Transistor

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.
Advertisements

DIODA.
Sistem Kendali Elektronik
Rangkaian Dasar Transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT)
transistor Nama Kelompok : 1. Puspa Rizky Trisnaningtyas
PIRANTI SEMIKONDUKTOR
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Analisis Langsung Penguat Sinyal Kecil pada Rangkaian
Analisis Penguat Sinyal Kecil
KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR
Teknik Elektro Universitas Gunadarma
ELEKTRONIKA DASAR T.ELEKTRO.
Rangkaian Logika Digital CMOS
Rangkaian Logika Digital CMOS
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
Mata kuliah Elektronika Analog
Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR
Pengantar Rangkaian Transistor
Jurusan Teknik Elektro FT. Untirta
MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
TRANSISTOR TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2015/2016
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Departemen Sistem Komputer
Menguji DC power dan peralatan rectifier
MATERI : Evaluasi Transistor
BAB 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
DIODA.
Penguat-Penguat Emitor Sekutu Transistor BJT
Mata kuliah Elektronika Analog
Pengertian thyristor  Thyristor merupakan salah satu devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian.
Transistor.
Mata kuliah Elektronika Analog
TRANSISTOR 1 TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013
Daerah Operasi Transistor
Aplikasi Dioda.
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
TRANSISTOR II.
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
T R A N S I S T O R.
Prodi D3 TeknIk Komputer
ARUS LISTRIK ARUS LISTRIK.
Transistor Gabriel Sianturi MT.
Pertemuan 20 PENGUAT DAYA KELAS C
DIODA by IMAM SYAFII, M.Eng.
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
PERTEMUAN 3.
Pertemuan IV Dioda & Aplikasi
ALJABAR BOOLEAN Muh. Aziz, S.T., M.Cs..
A. COUPLING PENGUAT Yaitu Merupakan penghubung antara 2 penguat, macam-macamnya adalah: 1. RC Coupling Sering disebut coupling kapasitif dengan menggunakan.
Aplikasi & grafik karakteristik transistor
DIODA.
oleh Ir. Bambang Sutopo,M.Phil Jurusan Teknik Elektro FT-UGM 2007
  PENGUAT DAYA KELAS A TERGANDENG
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Transistor.
Penguat frekuensi menengah CE
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
Pertemuan IV Dioda & Aplikasi
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
PERTAMA DIPERKENALKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA ADALAH
Percobaan 1 Tahap Akhir Penguat
Transistor cut-off & saturasi
DIODA SEMIKONDUKTOR.
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
Elektronika Industri Teknik Elektro Universitas Gunadarma.
 Bohr : model atom : inti dikelilingi oleh elektron2 yang mengitari. Inti bermuatan positip dan menarik elektron2. Elektron2 akan jatuh pada inti bila.
Transcript presentasi:

Daerah Operasi Transistor Sebuah Transistor memiliki empat daerah Operasi Transistor : Daerah Aktif Daerah CutOff Daerah Saturasi Daerah Breakdown

Daerah operasi

Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).

Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu yang menyebabkan arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (On) menjadi keadaan mati (Off). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.  

CuttOff terjadi saat tidak ada arus IC yang mengalir atau seluruh tegangan Vcc jatuh di VCE. Dimana Ic=0, VCE= VCC ,

Daerah Saturasi (jenuh) Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang membuat tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat mengalirkan elektron.

Saturasi terjadi saat tegangan VCE = 0, artinya tidak ada jatuh tegangan yang terjadi di VCE, atau dengan kata lain kita dapat mengatakan Ic mendapatkan hasil maksimumnya.untuk rangkaian seperti disamping kita dapat menemukan IC yaitu Ic=VCC/(RC+RE)

Titik saturasi transistor adalah daerah kerja transistor dimana arus kolektor mencapai nilai maksimum, yaitu arus kolektor ditentukan oleh nilai Vcc dan Rc karena nilai resistansi kolektor – emitor transistor kondisi minimum (≈ 0) sehingga diabaikan. Dimana: Ic(sat) = Vcc/Rc

Untuk mendapatkan kondisi saturasi pada transistor maka arus basis harus besar yaitu : Ib(min)> Ic(sat)/hfe

Dalam keadaan saturasi, arus kolektor secara nominal adalah Vcc/Rc, dan karena Rc adalah beban yang bernilai kecil, maka Vcc perlu dijaga agar tetap rendah supaya transistor tetap beroperasi dalam batasan arus maksimum dan disipasi daya minimum. Titik saturasi dalam grafik daerah kerja transistor dapat dilihat pada grafik berikut.

Titik saturasi pada daerah kerja

Titik saturasi pada garis beban

Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 35 V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat me-rusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervari-asi. Nilai VCE max biasanya dicantumkan dalam datasheet transistor.

Garis Beban Transistor Garis beban sangat penting dalam menggambarkan karakteristik sebuah transistor. Garis beban mencakup setiap kemungkinan titik operasi rangkaian. Dengan kata lain bila hambatan pada Basis bervariasi mulai dari nol sampai tak terhingga maka akan menyebabkan arus Basis (IB) menjadi berubah sehingga arus Kolector (IC) dan VCE pun akan bervariasi pada daerah masing-masing.

Garis beban

Titik Jenuh Terjadi ketika hambatan pada Basis terlalu kecil sehingga arus kolektor menjadi sangat besar dan tegangan kolektor emitor menjadi rendah mendekati nol. Pada keadaan ini transistor berada pada kondisi jenuh artinya arus kolektor meningkat mendekati nilai maksimum.

Titik Cutoff Keadaan pada saat garis beban berpotongan dengan daerah Cutoff kurva kolektor. Hal ini disebabkan karena arus kolektor sangat kecil, sehingga titik cutoff hampir menyentuh ujung bawah garis beban. Dengan kata lain, titik cutoff menyatakan tegangan Kolektor Emitor maksimum yang mungkin dalam rangkaian.