Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Rangkaian Elektronika
Advertisements

DIODA.
Sistem Kendali Elektronik
Rangkaian Dasar Transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Rangkaian Transistor Transistor dapat dihubungkan dengan 3 cara :
Elektronika Dasar (Minggu 8)
transistor Nama Kelompok : 1. Puspa Rizky Trisnaningtyas
ARUS LISTRIK.
PIRANTI SEMIKONDUKTOR
SEMI KONDUKTOR setengah penghantar (konduktivitasnya berada antara konduktor dan isolator) terdapat pada kolom IV dari sistem periodik; Contoh: silikon.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Analisis Penguat Sinyal Kecil
KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR
Prategangan Transistor
Teknik Elektro Universitas Gunadarma
ELEKTRONIKA DASAR T.ELEKTRO.
KULIAH 6: TRANSISTOR AMPLIFIER BIPOLAR
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
Mata kuliah Elektronika Analog
Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR
Pengantar Rangkaian Transistor
TRANSISTOR Dwi Sudarno Putra.
DIODA.
Jurusan Teknik Elektro FT. Untirta
MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Menguji DC power dan peralatan rectifier
Depletion Layer dan P-N Junction
BAB 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
DIODA.
Mata kuliah Elektronika Analog
Pengertian thyristor  Thyristor merupakan salah satu devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian.
Transistor.
Mata kuliah Elektronika Analog
TRANSISTOR 1 TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013
Daerah Operasi Transistor
Pendahuluan Elektronika Industri
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
TRANSISTOR II.
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
T R A N S I S T O R.
Prodi D3 TeknIk Komputer
Transistor Gabriel Sianturi MT.
DIODA by IMAM SYAFII, M.Eng.
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
PERTEMUAN 3.
DASAR ELEKTRONIKA DIODA SEMIKONDUKTOR.
DIODA.
Pertemuan IV Dioda & Aplikasi
Aplikasi & grafik karakteristik transistor
DIODA.
oleh Ir. Bambang Sutopo,M.Phil Jurusan Teknik Elektro FT-UGM 2007
Daerah Operasi Transistor
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Transistor.
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
Pertemuan IV Dioda & Aplikasi
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
PERTAMA DIPERKENALKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA ADALAH
Transistor cut-off & saturasi
DIODA SEMIKONDUKTOR.
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
PENGUKURAN KOMPONEN ELEKTRONIKA DENGAN MULTIMETER ALAT UKUR LISTRIK PENDIDIKAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN IPA 2018.
Elektronika Industri Teknik Elektro Universitas Gunadarma.
 Bohr : model atom : inti dikelilingi oleh elektron2 yang mengitari. Inti bermuatan positip dan menarik elektron2. Elektron2 akan jatuh pada inti bila.
 Sebagai penguat arus, tegangan dan daya (AC dan DC)  Sebagai penyearah  Sebagai mixer  Sebagai Penyetabil Tegangan  Sebagai Sirkuit Pemutus / Penyambung.
Transcript presentasi:

Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C B B 2. Transistor pnp : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-n (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe p. E p n p C E C B B

Cara kerja transistor ic V2 = VEB V1 = VCB ib ie Emiter Basis Kolektor Pikirkan transistor sebagai 2 dioda yang saling berlawanan. Sambungan emiter-basis merupakan bias maju akibat sedangkan basis-kolektor sebagai bias mundur. Elektron akan mengalir dari emiter ke basis. Begitu elektron melewati basis, maka elektron akan menghadapi potensial positif dari kolektor. Karena basis sangat tipis, maka hampir semua elektron ke arah kolektor dan hanya sejumlah kecil (5%) dikumpulkan basis membentuk arus IB Arus basis sangat kecil (mikro ampere) sering diabaikan, sehingga yang sering dinamakan arus transistor adalah IE dan IC IE = IC + IB V2

Cara menentukan transistor pnp dan npn Basis dan Emiter dihubungkan ke multimeter Ketika B diberi positip dan E negatip menyebabkan jarum bergerak, menandakan bahwa ada arus mengalir yang dihasilkan oleh tegangan bias maju BE (BE merupakan sambungan p-n). Jadi transistor adalah tipe npn. Jika jarum tidak bergerak, transistor tersebut adalah tipe pnp. C B E + -

2. Basis dan Kolektor dihubungkan ke multimeter Ketika B diberi positip dan C negatip menyebabkan jarum bergerak, menandakan bahwa ada arus mengalir yang dihasilkan oleh tegangan bias maju BC (BC merupakan sambungan p-n). Jadi transistor adalah tipe npn. Jika jarum tidak bergerak, transistor tersebut adalah tipe pnp. - C B + E

Daerah Operasi Transistor Sebuah Transistor memiliki empat daerah Operasi Transistor : Daerah Aktif Daerah CutOff Daerah Saturasi Daerah Breakdown

Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, yaitu ketika arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).

Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu yang menyebabkan arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (On) menjadi keadaan mati (Off). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.  

Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang membuat tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat mengalirkan elektron.

Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat me-rusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervari-asi. VCE max pada data book transistor selalu dicantumkan juga.

Garis Beban Transistor Garis beban sangat penting dalam menggambarkan karakteristik sebuah transistor. Garis beban mencakup setiap kemungkinan titik operasi rangkaian. Dengan kata lain bila hambatan pada Basis bervariasi mulai dari nol sampai tak terhingga maka akan menyebabkan arus Basis (IB) menjadi berubah sehingga arus Kolector (IC) dan VCE pun akan bervariasi pada daerah masing-masing.

Titik Jenuh Terjadi ketika hambatan pada Basis terlalu kecil sehingga arus kolektor menjadi sangat besar dan tegangan kolektor emitor menjadi rendah mendekati nol. Pada keadaan ini transistor berada pada kondisi jenuh artinya arus kolektor meningkat mendekati nilai maksimum.

Titik Cutoff Keadaan pada saat garis beban berpotongan dengan daerah Cutoff kurva kolektor. Hal ini disebabkan karena arus kolektor sangat kecil, sehingga titik cutoff hampir menyentuh ujung bawah garis beban. Dengan kata lain, titik cutoff menyatakan tegangan Kolektor Emitor maksimum yang mungkin dalam rangkaian.