Pertemuan 16 PERANCANGAN PENGUAT KELAS A

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
TURUNAN/ DIFERENSIAL.
Advertisements

Elektronika Dasar (Minggu 3)
TRANSISTOR BJT BIASING, MODELING, ANALISIS AC
KELOMPOK : 1.FUAD ILHAM 2.SUBIC JATI UTOMO 3.AFANDY AMIR 4.ZULASR.
ELEKTRONIKA Bab 7. Pembiasan Transistor
Selamat Datang Dalam Kuliah Terbuka Ini
ELEKTRONIKA ANALOG Bab 2 BIAS DC FET Pertemuan 5 – Pertemuan 7
SOAL ESSAY KELAS XI IPS.
ALJABAR.
Circle (LINGkaRan) Enggar Fathia Ch*Fuji Lestari*Ni Made Ratna W*Ria Oktavia*
Rangkaian Dasar Transistor
LUAS DAERAH LINGKARAN LANGKAH-LANGKAH :
Mari Kita Lihat Video Berikut ini.
LINGKARAN.
Matakuliah : S0362/Konstruksi Bangunan dan CAD II Tahun : 2006 Versi :
Transistor Sebagai Penguat
 Mahasiswa dapat menyelesaikan ketiga deret tersebut.
Dimensi tiga jarak.
TURUNAN DIFERENSIAL Pertemuan ke
Fisika Dasar Oleh : Dody,ST
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Rangkaian Transistor Transistor dapat dihubungkan dengan 3 cara :
ELEKTRONIKA Bab 8. Model AC
Luas Daerah ( Integral ).
Elektronika Dasar (Minggu 8)
1 Pertemuan 6 Signal conditioning Matakuliah: H0262/Pengukuran dan Instrumentasi Tahun: 2005 Versi: 00/01.
Pertemuan 5 P.D. Tak Eksak Dieksakkan
Model Dioda Bias Maju.
Penguat Operasional (Op-Amp)
Pertemuan 18 Pendugaan Parameter
KELOMPOK II FITRAH YULIA ASTARI MUHAMMAD FAUZAN
Dioda Ideal.
Pemberian bias pada rangkaian BJT
Model Rangkaian Ekivalen Penguat
ELEMEN RANGKAIAN LISTRIK
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Operasi dan Model Sinyal Kecil
Analisis Langsung Penguat Sinyal Kecil pada Rangkaian
BIJUNCTION TRANSISTOR
ELEKTRONIKA Bab 4. Rangkaian Dioda
PENGENALAN SINYAL-SINYAL DASAR
Rangkaian Penguat BJT Diskrit
Analisis Penguat Sinyal Kecil
Selamat Datang Dalam Kuliah Terbuka Analisis Rangkaian Listrik Sesi-4
WISNU HENDRO MARTONO,M.Sc
Prategangan Transistor
ELEKTRONIKA DASAR T.ELEKTRO.
Gaya Geser Pada Penampang Beton Prategang Pertemuan 12
KULIAH 6: TRANSISTOR AMPLIFIER BIPOLAR
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Pertemuan 17 DAYA PADA PENGUAT KELAS A
Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR
Pengantar Rangkaian Transistor
Pertemuan 22 PRATEGANGAN PADA FET
Pertemuan 5 Balok Keran dan Balok Konsol
MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2
Departemen Sistem Komputer
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid П)
Dasar Transistor TK – ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
Pertemuan 17 Tegangan Lentur dengan Gaya Normal yang bekerja Sentris
Pertemuan 20 PENGUAT DAYA KELAS C
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid h)
Dasar Transistor TK – ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
Pertemuan 14 PENGUAT DARLINGTON
Tahun : <<2005>> Versi : <<1/2>>
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
Pertemuan VII Analisa Penguat Transistor BJT
Transcript presentasi:

Pertemuan 16 PERANCANGAN PENGUAT KELAS A Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1 Pertemuan 16 PERANCANGAN PENGUAT KELAS A

Learning Outcomes Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa akan mampu : Menerangkan cara merancang penguat kelas A.

Titik saturate dan titik cutoff. Garis beban ac. Perancangan. Outline Materi Titik saturate dan titik cutoff. Garis beban ac. Perancangan.

TITIK KERJA DI TENGAH GARIS BEBAN RANGKAIAN COMMON EMITTER Di Tengah Garis Beban DC     Penentuan Nilai Komponen VE  0,1 VCC RE = ? ( ICQ = ½ IC(sat) ) RC = 4 RE VB = VE + VBE ( VBE = 0,7 V ) Hitung R1 & R2 sesuai VB !

CONTOH 1 Rancanglah rangkaian Common Emitter dengan prategangan pembagi tegangan dimana titik Q terletak di tengah-tengah garis beban dc. Diketahui Vcc = 12 V, ICQ = 5 mA dan dc = 200.

JAWAB VE = 0,1 Vcc = 0,1 ( 12 ) = 1,2 V Tahanan  Tegangan emiter dc : VE = 0,1 Vcc = 0,1 ( 12 ) = 1,2 V Tahanan RC = 4 RE = 4 .( 240 ) = 960  VB = VE + VBE = 1,2 + 0,7 = 1,9 V

Nilai R1 dan R2 Arus melalui pembagi tegangan paling sedikit 10x lebih besar daripada arus basis. ID = 10 IB = 10.( 0,025 ) = 0,25 mA R1 = 48 - R2 R1 = 48 – 7,6 R1 = 40,4 k R1 + R2 = R2 =

CONTOH 2 Hitung : kepatuhan keluaran sinyal ac nya. Jawab : Kepatuhan ac : PP = 2.ICQ.rL PP = 2. ICQ. ( RC // RL ) PP = 2. ( 5 mA ).( 480  ) PP = 4,8 volt

Garis Beban DC dan ac

Titik Q di tengah garis beban DC KEPATUHAN AC Titik Q di tengah garis beban DC IC 17,5 10 5 Garis beban ac Garis beban dc 6 8,4 12 VCE PP = 4,8 volt

TITIK Q DI TENGAH GARIS BEBAN ac VCEQ = ICQ rL VCEQ + ICQ ( RC + RE ) = VCC VCC - ICQ ( RC + RE ) = ICQ.rL   RC = 4 RE maka,  

CONTOH 3 Rancanglah kembali rangkaian CE pada contoh 1 diatas dengan menggunakan titik Q yang terletak di tengah-tengah garis beban ac. Jawab :

Nilai R1 dan R2 Kepatuhan ac : PP = 2.ICQ.rL PP = 2.( 7,14 mA ).( 960  // 960  ) PP = 6,854 volt

Titik Q di tengah garis beban ac KEPATUHAN AC Titik Q di tengah garis beban ac IC 14,28 10 7,14 Garis beban ac Garis beban dc 3,43 6,86 12 VCE PP = 6,854 volt

RANGKAIAN COMMON COLLECTOR TITIK Q DI TENGAH GARIS BEBAN DC Penentuan Nilai Komponen    VE = 0,5 VCC    RE = ? ( ICQ = ½ IC(sat) )    VB = ?    Hitung R1 & R2 sesuai VB !

CONTOH 1 Rancanglah kembali rangkaian common collector / emitter follower disamping ini dengan spesifikasi : VE = 10 V, ICQ = 2 mA, hFE = 175 dan titik Q berada ditengah garis beban DC.

JAWAB VE = ICQ .RE  VB = VE + 0,7 V = 10 + 0,7 = 10,7 V   VB = VE + 0,7 V = 10 + 0,7 = 10,7 V ID = 10 IB = 10 . 0,0114 = 0,114 mA     R1 = 175,4 – R2   R1 = 175,4 – 93,86 R1 = 81,54 k

TITIK Q DI TENGAH GARIS BEBAN AC VCEQ = ICQ.rL VCC = VCEQ + ICQ. RE VCC = ICQ . rL + ICQ. RE VCC = ICQ .( RE + rL )

CONTOH 2 Rancanglah rangkaian pengikut emiter disamping ini dengan menentukan nilai tahanan R1 dan R2 agar rangkaian mempunyai titik kerja Q di tengah-tengah garis beban ac. dc transistor = 200.

JAWAB rL = RC // RL = 1K // 1K = 0,5 K