Rangkaian Dasar Transistor

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.
Advertisements

Pertemuan 16 PERANCANGAN PENGUAT KELAS A
KELOMPOK : 1.FUAD ILHAM 2.SUBIC JATI UTOMO 3.AFANDY AMIR 4.ZULASR.
ELEKTRONIKA ANALOG Bab 2 BIAS DC FET Pertemuan 5 – Pertemuan 7
Sistem Kendali Elektronik
Transistor Sebagai Penguat
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Rangkaian Transistor Transistor dapat dihubungkan dengan 3 cara :
Elektronika Dasar (Minggu 8)
transistor Nama Kelompok : 1. Puspa Rizky Trisnaningtyas
Pemberian bias pada rangkaian BJT
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Pemberian Bias Penguat BJT
KELOMPOK : 1.FUAD ILHAM 2.SUBIC JATI UTOMO 3.AFANDY AMIR 4.ZULASR.
Operasi dan Model Sinyal Kecil
Penggunaan BJT untuk Desain Penguat
BIJUNCTION TRANSISTOR
Analisis Penguat Sinyal Kecil
KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR
Prategangan Transistor
ELEKTRONIKA DASAR T.ELEKTRO.
KULIAH 6: TRANSISTOR AMPLIFIER BIPOLAR
Mata kuliah Elektronika Analog
Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR
Pengantar Rangkaian Transistor
TRANSISTOR Dwi Sudarno Putra.
Jurusan Teknik Elektro FT. Untirta
MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Penguat Emitor Sekutu (Common Emitor Amplifier)
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Departemen Sistem Komputer
MATERI : Evaluasi Transistor
BAB 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Penguat-Penguat Emitor Sekutu Transistor BJT
Mata kuliah Elektronika Analog
Transistor.
Mata kuliah Elektronika Analog
TRANSISTOR 1 TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013
Daerah Operasi Transistor
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
T R A N S I S T O R.
Analisis AC pada transistor BJT
Prodi D3 TeknIk Komputer
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid П)
Dasar Transistor TK – ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
Transistor Gabriel Sianturi MT.
Analisis AC pada transistor BJT
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid h)
Dioda Semikonduktor.
Dasar Transistor TK – ELEKTRONIKA DASAR JURUSAN TEKNIK KOMPUTER
Bahasan : Audio Amplifier
A. COUPLING PENGUAT Yaitu Merupakan penghubung antara 2 penguat, macam-macamnya adalah: 1. RC Coupling Sering disebut coupling kapasitif dengan menggunakan.
oleh Ir. Bambang Sutopo,M.Phil Jurusan Teknik Elektro FT-UGM 2007
Daerah Operasi Transistor
ELEKTRONIKA 1 Teknik Elektro-UNIKOM
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Transistor.
Penguat frekuensi menengah CE
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Percobaan 1 Tahap Akhir Penguat
Pertemuan VII Analisa Penguat Transistor BJT
Transistor cut-off & saturasi
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
PENGUKURAN KOMPONEN ELEKTRONIKA DENGAN MULTIMETER ALAT UKUR LISTRIK PENDIDIKAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN IPA 2018.
Transcript presentasi:

Rangkaian Dasar Transistor Ada tiga cara yang berguna untuk menghubungkan sebuah Transistor : Common Emitter (CE) Common Collector (CC) Common Base (CB)

Common Emitter Rangkaian CE adalah rangkaian yang paling sering digunakan untuk berbagai aplikasi yang mengunakan transistor. Dinamakan rangkaian CE, sebab titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter

Notasi pada rangkaian CE Ada beberapa notasi yang sering digunakan untuk mununjukkan besar tegangan pada suatu titik maupun antar titik. Notasi dengan 1 subscript adalah untuk menunjukkan besar tegangan pada satu titik, misalnya VC = tegangan kolektor, VB = tegangan base dan VE = tegangan emiter.

Ada juga notasi dengan 2 subscript yang dipakai untuk menunjukkan besar tegangan antar 2 titik, yang disebut juga dengan tegangan jepit. Diantaranya adalah : VCE = tegangan jepit kolektor- emitor VBE = tegangan jepit base - emitor VCB = tegangan jepit kolektor - base  Notasi seperti VBB, VCC, VEE berturut-turut adalah besar sumber tegangan yang masuk ke titik base, kolektor dan emitor.

Rangkaian CE memiliki dua kalang : kalang kiri adalah kalang Basis Kalang Kanan adalah Kalang Kolektor

Kalang Basis PAda kalang Basis, Tegangan sumber VBB membias maju Dioda Emiter dengan RB sebagai resistansi pembatas arus, dengan mengubah VBB atau RB maka kita dapat merubah arus Basis. Mengubah arus Basis akan merubah arus Kolektor dengan kata lain arus Basis dapat mengendalikan arus Kolektor (arus kecil mengendalikan arus besar)

Kalang Kolektor Pada Kalang Kolektor sumber tegangan VCC membias balikkan dioda kolektor melalui RC. Tegangan sumber VCC harus membias balikkan Dioda Kolektor dengan kata lain Kolektor harus Positif untuk mengumpulkan sebagian besar elektron Bebas yang diinjeksikan ke Basis

Kurva Base Hubungan antara IB dan VBE tentu saja akan berupa kurva dioda. Karena memang telah diketahui bahwa junction base-emitor tidak lain adalah sebuah dioda. Jika hukum Ohm diterapkan pada loop base diketahui adalah : IB = (VBB - VBE) / RB

VBE adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor VBE adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor. Arus hanya akan mengalir jika tegangan antara base-emitor lebih besar dari VBE. Sehingga arus IB mulai aktif mengalir pada saat nilai VBE tertentu

Kurva IB -VBE Besar VBE umumnya tercantum di dalam databook. Tetapi untuk penyerdehanaan umumnya diketahui VBE = 0.7 volt untuk transistor silikon dan VBE = 0.3 volt untuk transistor germanium. Nilai ideal VBE  = 0 volt.

Soal : Berapakah Tegangan pada Resistor Basis dan Arus Kolektor bila diketahui β = 200

Kurva Kolektor Bagaimana hubungan antara arus base IB ,arus kolektor IC dan tegangan kolektor-emiter VCE ?? Dengan mengunakan Rangkaian Common Emitter, tegangan VBB dan VCC dapat diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. Pada gambar berikut telah diplot beberapa  kurva kolektor arus IC terhadap VCE dimana arus IB dibuat konstan

Kurva kolektor Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown