Perilaku Junction PN
Junction PN Struktur Fisik sedr42021_0339.jpg
Tanpa Tegangan Luar Difusi konsentrasi muatan, arus difusi ID Terbentuk area deplesi, medan E Arus drift IS oleh medan setimbang sedr42021_0345a.jpg
Tanpa Tegangan Luar Beda potensial pada junction (daerah deplesi) sedr42021_0345a.jpg
Tanpa Tegangan Luar Untuk NA > ND n(x) dan p(x) kompleks, sederhanakan seragam – dengan x variabel posisi
Tanpa Tegangan Luar Muatan Seimbang
Tanpa Tegangan Luar Lebar W daerah deplesi
Dengan Tegangan Bergantung tegangan daerah deplesi melebar atau menyempit
Dengan Tegangan Untuk bias tegangan mundur (reverse) VR maka Untuk tegangan bias maju (forward) VF maka
Hubungan Arus Tegangan Konsentrasi muatan minoritas (NA>>ND)
Hubungan Arus-Tegangan Konsentrasi hole terinjeksi ke area n dengan tegangan junction V pada batas junction xn Kelebihan konsentrasi muatan saat forward bias di posisi x=xn sebesar
Hubungan Arus-Tegangan Konsentrasi hole di daerah n Lp Diffusion Length
Hubungan Arus-Tegangan Konsentrasi hole di daerah n LP Diffusion Length – menentukan cepat/ lambatnya rekombinasi
Hubungan Arus Tegangan Densitas arus difusi hole di area n untuk p(n) yang telah diperoleh
Hubungan Arus Tegangan Densitas arus difusi hole di area n terbesar saat x=xn sehingga Arus akan menurun dengan kenaikan x
Hubungan Arus Tegangan Dengan cara yang sama untuk densitas arus difusi elektron di area p terbesar saat x=-xp sehingga
Hubungan Arus Tegangan Arus di area junction
Hubungan Arus Tegangan Mengingat dan maka dan diperoleh hubungan arus tegangan IS arus saturasi dari pn junction bersangkutan
Hubungan Arus Tegangan Kurva arus tegangan pn junction
Reverse Breakdown Bila tegangan reverse cukup mencapai VBR, medan listrik memberik energi yang cukup untuk melepaskan elektron dari ikatan kovalen Arus akan meningkat dengan cepat Dioda biasa akan rusak, aplikasi dioda Zener I VBD V