Pertemuan 22 PRATEGANGAN PADA FET

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Pertemuan 16 PERANCANGAN PENGUAT KELAS A
Advertisements

DIODA.
Rangkaian MOSFET DC.
Operasi dan Pemodelan Sinyal Kecil
Pemberian Bias MOSFET.
Rangkaian Penguat MOS Diskrit
Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat
FET BIASING Analisis dc penentuan titik kerja (Q)
Prategangan Transistor
ANALISIS AC FET FET sebagai PENGUAT
Gaya Geser Pada Penampang Beton Prategang Pertemuan 12
1 Pertemuan 2 Karakteristik Kelistrikan Gerbang MOSFET Matakuliah: H0362/Very Large Scale Integrated Circuits Tahun: 2005 Versi: versi/01.
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Pertemuan 3 Mencari Titik Berat Penampang Majemuk
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
Pertemuan 11 MULTIVIBRATOR
Pertemuan 7 FREQUENCY RESPONSE
Pertemuan 17 DAYA PADA PENGUAT KELAS A
Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR
Pengantar Rangkaian Transistor
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
Matakuliah : S0084 / Teori dan Perancangan Struktur Beton
Pertemuan 5 Balok Keran dan Balok Konsol
1 Pertemuan 5 Diferensial Matakuliah: R0262/Matematika Tahun: September 2005 Versi: 1/1.
Fungsi Logaritma Pertemuan 12
1 Pertemuan 5 PPh PASAL 21 Matakuliah: A0572/ Perpajakan Tahun: 2005 Versi: Revisi 1.
Mengambar kurva fungsi linier Pertemuan 4
Fungsi Eksponensial Pertemuan 11 Matakuliah: J0174/Matematika I Tahun: 2008.
Pertemuan 21 Tegangan Geser, Lentur dan Normal
Matakuliah : R0022/Pengantar Arsitektur Tahun : Sept 2005 Versi : 1/1
Pertemuan 9 Interface Mikroprosesor dengan ADC/DAC
1 Pertemuan 7 Diferensial Matakuliah: R0262/Matematika Tahun: September 2005 Versi: 1/1.
Matakuliah : R0262/Matematika Tahun : September 2005 Versi : 1/1
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Pembiasan Pada Transistor JFET
Matakuliah : K0074/Kalkulus III Tahun : 2005 Versi : 1/0
Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & Prategangan
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Pertemuan 01 Pengantar Teori Fungsi
Pertemuan 19 Besaran dan Sifat Batang (Secara Grafis)
Fungsi Biaya dan Fungsi Penerimaan Pertemuan 10
Pertemuan 8 Anatomi Bangunan 2
Pertemuan 3 APLIKASI OP-AMP
Matakuliah : R0262/Matematika Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Pertemuan 17 Tegangan Lentur dengan Gaya Normal yang bekerja Sentris
Pertemuan 10 ANALISA GAYA PADA KERANGKA BATANG
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Matakuliah : K0074/Kalkulus III Tahun : 2005 Versi : 1/0
Pertemuan 3 JENIS-JENIS DIODA
Matakuliah : S0024/Mekanika Bahan Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Pertemuan 20 PENGUAT DAYA KELAS C
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
PERTEMUAN 3.
Matakuliah : S0024/Mekanika Bahan Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Matakuliah : S0512 / Perancangan Struktur Baja Lanjut
Pertemuan 21 Interface Mikroprosesor dengan Sensor Suhu
Pertemuan 14 PENGUAT DARLINGTON
Pertemuan 3 Diferensial
Matakuliah : R0262/Matematika Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Bab 10 JFET Analisis Sinyal ac Kecil
Pertemuan 19 Tegangan Lentur dengan Gaya Normal yang bekerja Eksentris
Pertemuan 2 SUMMING DAN NON INVERTING AMPLIFIER
Pertemuan 6 DIferensial
DIODA.
Pertemuan 6 CLIPPING DAN CLAMPING
PERTEMUAN VI TRANSISTOR EFEK MEDAN
Prategang Pada Struktur Statis Tak Tentu Pertemuan 13
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Transcript presentasi:

Pertemuan 22 PRATEGANGAN PADA FET Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1 Pertemuan 22 PRATEGANGAN PADA FET

Learning Outcomes Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa akan mampu : Menjelaskan beberapa prategangan yang dapat digunakan pada FET.

Gate bias. Self bias. Voltage divider bias. Source bias. Outline Materi Gate bias. Self bias. Voltage divider bias. Source bias. Current Source bias.

GATE BIAS ID 16 mA Q2 2N5459 4 mA Q1 VGS -8 V -2 -1

CONTOH VDS = VDD – ID.RD = 20 – ( 4 mA )( 2K ) = 12 volt FET pada gambar disamping mempunyai harga IDSS = 16 mA dan VGS(off) = -8 volt. Tentukan harga ID dan VDS dari rangkaian ini. VDS = VDD – ID.RD = 20 – ( 4 mA )( 2K ) = 12 volt

SELF BIAS VG = 0 : ID = IS VS = IS.RS = ID.RS VGS = VG - VS = 0 - VS VGS = -VS  VGS = - ID.RS

CONTOH Tentukanlah range dari nilai titik kerja Q untuk rangkaian disamping ini. Dari lembar data dapat diketahui bahwa untuk JFET tipe 2N5459 mempunyai : VGS(off) = -2 V sampai –8 V. IDSS = 4 mA sampai 16 mA.

JAWAB Jika diambil VGS=-4V, maka : Jika titik ( -4,8 ) dan titik asal ( 0,0 ) saling dihubungkan, perpotongannya dengan kurva transkonduktansi akan mendapatkan titik minimum Q2 dan maksimum Q1. Q1 Q2 -8 -7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 Dari koordinat titik Q1 dan Q2 dapat diperoleh range titik Q yaitu : VGS(maks) = -3V ID(maks)= 6 mA VGS(min) = -0,75 V ID(min) = 1,6 mA

JAWAB Jika ID = 1,6 mA : VDSS = VDD - ID ( RD + RS ) = 10 V – ( 1,6 mA ) ( 1K ) = 8,4 V Jika ID = 6 mA : VDS = VDD - ID ( RD + RS ) = 10 V – ( 6 mA ) ( 1K ) = 4 V  VDS antara 4V sampai 8,4V

VOLTAGE DIVIDER BIAS

CONTOH Gambarkan garis prategangan dc rangkaian gambar disamping ini, jika digunakan JFET 2N5459 Q1 Q2 ID VGS -8 V -2 -1 4 mA 16 mA 2N5459 VG

SOURCE BIAS Pada prategangan sumber digunakan tegangan -VSS yang bertujuan untuk membenamkan ( swamp ) variasi dari tegangan VGS yang menyebabkan ID tidak stabil. Agar variasi dari tegangan VGS dapat diabaikan, maka tegangan catu VSS harus >> VGS dan ini tidak mungkin karena tegangan catu VSS harus besar sekali.

CURRENT SOURCE BIAS ID tidak tergantung kepada VGS ( tidak tergantung jenis FET ) IDSS(maks) IDSS(min) IC Q1 Q2 VGS ID

CONTOH Jika VGS = -2V tentukanlah VD dan VS. Karena ID = IE maka tegangan drain VD dapat dihitung menurut persamaan : VD = VDD – ID.RD VD= 30 V – ( 0,93 mA ) ( 8,2 K ) VD= 22,4 V VGS = VG – VS  VS = VG – VGS = VB – VGS = 10 V – (- 2V) = 12V