MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)

Presentasi berjudul: "MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)"— Transcript presentasi:

1 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
Berdasarkan mode operasinya MOSFET dapat dibedakan menjadi 2 yaitu : D-MOSFET yang dapat bekerja pada mode operasi depletion-enhancement. Pada DMOSFET, gerbang diisolasi dari kanal, sehingga DMOSFET dapat juga diaktifkan dengan menggunakan tegangan gerbang (VGS). Semakin naik VGS, konduksi dari source ke drain makin besar sehingga arus kanal semakin besar. Sama seperti JFET, maka DMOSFET juga terdapat 2 tipe, yaitu tipe-n dan tipe-p. E-MOSFET yang hanya dapat bekerja pada mode operasi enhancement. Keterangan Enhancement : perbaikan peningkatan Depletion : penipisan

2 Struktur DMOSFET showing channel length L and channel width W.
n-Channel depletion MOSFET showing channel length L and channel width W.

3 Depletion Type MOSFET

4

5 Karakteristik

6 Sket Kurva Sket Kurva karakteristik MOSFET tipe depletion dengan IDSS = 10 mA dan Vp = -4 V. Jawab : membuat kurva ID – VGS, dengan menentukan 4 titik ID, yaitu : * ID = IDSS * ID = IDSS/2 * ID = IDSS/4 * ID = 0 mA Caranya menggunakan pers shokhley seperti pada JFET

7 Simbol

8 Enhancement MOSFET Seperti halnya pada DMOSFET, EMOSFET juga mempunyai oksida logam tapi drain dan source tidak terhubung dalam satu kanal melainkan dipisahkan oleh substrat. Dalam hal ini untuk mendapatkan arus maka harus diberikan tegangan yang cukup ke gerbang (VG). Untuk EMOSFET kanal N tegangan antara gate dan source (VGS) minimum yang menyebabkan mengalirnya arus disebut tegangan ambang batas (threshold) (VT).

9 Enhancement-Type MOSFET

10 showing channel length L and channel width W.
n-Channel enhancement MOSFET showing channel length L and channel width W.

11 enhancement-mode n-channel MOSFET

12 Enhancement-Type MOSFET

13 Sket Kurva Karakteristik n-channel Enhancement –type MOSFET dengan :
ID(on) = 10 mA VGS(on) = 8V VT = 2 V Jawab : membuat kurva ID – VGS, dengan menentukan 4 titik ID, yaitu : * ID = ID(on) * ID = ID(on)/2 * ID = ID(on)/4 * ID = 0 mA

14 Karakteristik ( p-channel)

15 Simbol

16 PRINSIP KERJA For vGS < Vto the pn junction between drain and body
is reverse biased (kaki Drain dan source belum tehubung) Sehingga iD=0.

17 vGS >Vto ----> terbentuk saluran n.
vGS bertambah----> saluran membesar, vDS mengecil, Besarnya I D sebanding dengan vDS.

18 Laju pertambahan iD : melambat
vDS bertambah, saluran mengecil di drain dan Laju pertambahan iD : melambat Saat vDS> vGS -Vto, ----> iD tetap (daerah saturasi)

19 LAMPIRAN

20 Perbedaan Kurva Karakteristik transfer 3 jenis FET
ID versus vGS in the saturation region for n-channel devices.

21 p-Channel FET circuit symbols. Sama dengan n-channel devices,
kecuali arah panah