Bab 9 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) By : M. Ramdhani
depletion MOSFET
Saat GS=0 ID=IDSS diharapkan deplesi maksimum, saat GS (-) Gate akan mendorong e pd n dan menarik hole pd p deplesi semakin tebal sehingga semakin negatif GS arus ID semakin kecil, saat GS (+) Gate akan menarik e pd n dan hole pd p ke arah sambungan substrat sehingga deplesi terbuka arus semakin besar
Kurva Karakteristik
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/Pinch Off/Saturasi
Simbol d-MOSFET
enhancement MOSFET Saat GS=0 ID=0, saat GS (+) maka hole pada p tertekan kearah ujung substart akan menimbulkan kekosongan hole yang diisi oleh e sehingga muncul lapisan e, lapiasn e membenuk n sehingga ID bisa mengalir. GS yg menghasilkan arus pertama kali disebut VGS threshod VT
Kurva Karakteristik
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off
Simbol e-MOSFET
Karakteristik FET Operasinya tergantung pada aliran pembawa mayoritas saja. Mudah dibuat dalam bentuk IC dan memerlukan tempat lebih sedikit dalam IC. Rin tinggi (ratusan M). Derau lebih rendah dibandingkan transistor bipolar. Hasil kali penguatan dan lebar band frekuensi lebih kecil. gm FET < gm transistor bipolar. Konsumsi daya kecil
Prategangan MOSFET VT = VGS threshold saat ID pertamakali ada, ID(on) adalah nilai arus maksimum pada kurva dan VGS(on) adalah nila tegangan saat ID(on)
Feedback Biasing
Feedback Biasing
Voltage Divider Biasing
Voltage Divider Biasing