KULIAH 3 HUBUNGAN -PN Pembentuka Hubungan p-n

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Rangkaian Elektronika
Advertisements

Semikonduktor Prinsip Dasar
JUNCTION DIODE Junction artinya pertemuan, Petemuan ini antara type-p dan type-n, dimana type-p adalah hole dan type-n adalah elektron JUNCTION.
Create: Defi Pujianto, S.Kom
BAHAN DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI
Tabel 1. Kemampuan Hantar Arus (KHA)
MATA KULIAH DASAR ELEKTRONIKA
SEMIKONDUKTOR.
KULIAH 1 Fisika Semikonduktor
Gejala Transport dalam Semikonduktor
PIRANTI SEMIKONDUKTOR
Struktur Atom Semikonduktor Dioda junction Rangkaian Dioda Transistor
SEMI KONDUKTOR setengah penghantar (konduktivitasnya berada antara konduktor dan isolator) terdapat pada kolom IV dari sistem periodik; Contoh: silikon.
Arus pada Semikonduktor
Kapasitansi Junction.
Perilaku Junction PN.
©2012 Mervin T Hutabarat Dioda PN Junction 1. Dioda Riil PN Junction Karakteristik terminal dioda junction Karakteristik terminal dioda junction –ada.
KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR
Potensial Listrik Oleh : Muslimin, ST..
Kuliah 5b. Model Signal Kecil npn - BJT Dan Pnp BJT
KULIAH 2: GEJALA TRANSPORT
PN Junction.
KULIAH 4. DIODA HUBUNGAN-pn
DIODA.
Bab 8 Field Effect Transistor (FET)
Model Atom Thomson Maret 2014 Kesimpulan Thomson :
SEMIKONDUKTOR.
I.4 Dioda dan Aplikasi dioda
Prinsip Dasar Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi.
BAHAN SEMIKONDUKTOR TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2015/2016
SEMIKONDUKTOR.
Dioda Sambungan Jenis P-N
Bab 7 BAHAN SEMIKONDUKTOR.
Depletion Layer dan P-N Junction
MIKROELEKTRONIKA Dioda Semikonduktor uigm.
MATERI : BAHAN SEMIKONDUKTOR
Bahan Semikonduktor TK – ELEKTRONIKA DASAR
10. Radiasi Gelombang Elektromagnetik
Annisa Kamilla Mardhiyyah
Teknik Rangkaian Listrik
FET DAN MOSFET.
TRANSISTOR II.
Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & Prategangan
Semikonduktor Gabriel Sianturi MT.
BAHAN DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI
Modul 8 : Superkonduktor Temperatur Kritis Tinggi
Akibat Muatan Garis dan Muatan Bidang
Potensial Listrik.
HK Coulomb Medan Listrik Potensial Listrik
Bab 2 Sambungan PN dan Dioda
Potensial Listrik.
Depletion Layer dan PN Junction
DIODA.
Field Effect Transistor (FET)
LATIHAN04-1 Soal 1 : Diberikan D = dalam koordinat bola .
KARAKTERISTIK DIODA EKO RUDIAWAN.
ELEKTRONIKA 1 Teknik Elektro-UNIKOM
LISTRIK (FF) - listrik statis - listrik dinamis (arus listrik)
FENOMENA TRANSPORT PEMBAWA
P ENERAPAN R ANGKAIAN ELEKTRONIKA TATAP 4 JAM PELAJARAN Kompetensi Dasar : 3.1. Menerapkan FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
PERTAMA DIPERKENALKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA ADALAH
DIODE Dioda adalah komponen elktronik yang dapat melewatkan arus listrik untuk bergerak dalam satu arah dari polaritas (+) ke polaritas (-) atau ke lainnya.
Optimasi Energi Terbarukan (Teknologi Surya Fotovoltaik)
Standard State Potensial. Standard State Potential Potensial terukur pada sebuah elektroda kerja dimana arus listrik adalah ½ dari arus limit atau total.
Potensial Listrik.
DIODA SEMIKONDUKTOR.
SEMIKONDUKTOR DAN ELEKTRON
Sistem Komunikasi Serat Optik 11. Photodetector
Sistem Komunikasi Serat Optik 12. Noise Photodetector
Transcript presentasi:

KULIAH 3 HUBUNGAN -PN Pembentuka Hubungan p-n Arus Difusi Pada seimbang-panas PN-Junction pada seimbang-panas Lebar Deplesi pada seimbang-panas

Pembentukan Hubungan P-N Dibentuk dari substrat kristal yang yang dirubah menjadi tipe-n (menambah donor) & dan bagian lain menjadi tipe -p (menambah aseptor) Pada keadaan kesetimbangan terjadi: 1. Daerah tipe-p netral 2. Daerah muatan ruang tipe-p 3. Daerah muatan ruang tipe-n 4. Daerah tipe-n netral Daerah 2 dan 3 disebut lapisan Deplesi (dipole listrik) Medan listrik terdapat pada lapisan deplesi walaupun hubungan p-n tidak diberi tegangan

Arus Difusi Pada seimbang-panas Konsentrasi Hole dan Elektron Diasumsikan terletak pada daerah antara -Xpo dan Xno. Jno = 0 dan Jpo = 0 menyebabkan keadaan setimbang-panas. Konsentrasi elektron antara X = 0 dan Xno rata-rata : Jika no(x) < Nd, Daerah transisi pada Sisi - n Pada sisi-p rapat muatan negatif jika konsentrasi hole antara X = -Xpo dan X = 0

Cont.

PN-Junction pada seimbang-panas Pada daerah Bulk dari junction rapat  = 0 Dekat junction rapat muatan ‡0 Pada sisi n- junction dalam daerah transisi 0< X<Xno. Pada sisi ini, Na= 0 & po =0 Untuk perhitungan, diasumsikan: Daerah 1 & 4 = bulk. 2 dan 3= Deplesi

Cont

Lebar Deplesi pada seimbang-panas Junction asimetrik : Lebar deplesi dengan doping terendah:

Hubungan-pn Bias Reverse Untuk Tegangan Dioda nol : VD = 0 Hukum Tegangan Kirchhoff Grafik Potensial Hubungan pn.

Hubungan-pn Bias Reverse (cont.) Bias reverse VD < 0 Potensial barrier Daerah deplesi :

Hubungan-pn Bias Reverse (cont.)

Hubungan-pn Bias Reverse (cont.) Lebar Xpo, Xno dan Xdo pada setimbang panas :

Kapasitansi Pada lapisan deplesi terdapat muatan negatif dan positif. Hal ini dapat dipandang sebagai Kapasitor. Tegangan total vD = Tegangan DC + Tegangan Signal Kecil. Muatan total daerah deplesi =Muatan DC + Muatan Signal kecil

Kapasitansi (cont) Deplesi Kapasitansi (Cj) ditentukan oleh fungsi: Dan:

Kapasitansi (cont)

Kapasitansi (cont) Persamaan kapasitor dari plat paralel: untuk: