Kapasitansi Junction.

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Rangkaian Elektronika
Advertisements

Semikonduktor Prinsip Dasar
JUNCTION DIODE Junction artinya pertemuan, Petemuan ini antara type-p dan type-n, dimana type-p adalah hole dan type-n adalah elektron JUNCTION.
Referensi: Fundamental Power Electronic with Matlab Chapter 3 Rectification.
KULIAH 3 HUBUNGAN -PN Pembentuka Hubungan p-n
Semikonduktor.
PIRANTI SEMIKONDUKTOR
Struktur Atom Semikonduktor Dioda junction Rangkaian Dioda Transistor
SEMI KONDUKTOR setengah penghantar (konduktivitasnya berada antara konduktor dan isolator) terdapat pada kolom IV dari sistem periodik; Contoh: silikon.
Arus pada Semikonduktor
Model Rangkaian Ekivalen Penguat
KARAKTERISTIK KAPASITOR DAN PARAMETERNYA
Hubungan arus dan tegangan pada Kapasitor
Pengantar Analisis Rangkaian
Pemberian Bias Penguat BJT
Perilaku Junction PN.
Rangkaian RC tanpa sumber
©2012 Mervin T Hutabarat Dioda PN Junction 1. Dioda Riil PN Junction Karakteristik terminal dioda junction Karakteristik terminal dioda junction –ada.
Diode Diode Diode adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 1 buah junction, sering disebut sebagai komponen 2 lapis (lapis N dan P) dan.
DIODA IDEAL.
Rangkaian Arus Bolak-Balik
KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR
Kuliah 5b. Model Signal Kecil npn - BJT Dan Pnp BJT
Rangkaian Logika Digital CMOS
23. Rangkaian dengan Resistor dan Kapasitor
KULIAH 2: GEJALA TRANSPORT
KULIAH 4. DIODA HUBUNGAN-pn
Bab 9 Respons Frekuensi.
DIODA.
PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRONIKA
Rangkaian Pararale Hambatan
SEMIKONDUKTOR.
I.4 Dioda dan Aplikasi dioda
Dioda Sambungan Jenis P-N
Depletion Layer dan P-N Junction
Analisis Arus Bolak - Balik
MIKROELEKTRONIKA Dioda Semikonduktor uigm.
Bahan Semikonduktor TK – ELEKTRONIKA DASAR
Annisa Kamilla Mardhiyyah
Rangkaian DC.
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
Semikonduktor Gabriel Sianturi MT.
Bab v jembatan dc.
DIODA KHUSUS DIODA ZENER LIGHT EMITTING DIODA (LED) PHOTO DIODA
Sebuah bola lampu yang memiliki hambatan 440  dipasang pada suatu tegangan 220 V. Berapa kuat arus yang mengalir melalui lampu? A. 5 A B. 0,5 A C.
Bab II DIODA SEMIKONDUKTOR
Dioda Gabriel Sianturi MT.
Mikroelektronika DIODA.
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Bab 2 Sambungan PN dan Dioda
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
Dioda Semikonduktor.
KONDUKTOR, DIELEKTRIK dan KAPASITANSI
PERTEMUAN 3.
Depletion Layer dan PN Junction
DASAR ELEKTRONIKA DIODA SEMIKONDUKTOR.
DIODA.
Rekayasa Hardware ( Arus dan Tegangan ) Oleh. Nahar Mardiyantoro,SKom
Walaupun diode kristal (semikonduktor) dipopulerkan sebelum diode termionik, diode termionik dan diode kristal dikembangkan secara terpisah pada waktu.
ELEKTRONIKA 1 Teknik Elektro-UNIKOM
FENOMENA TRANSPORT PEMBAWA
P ENERAPAN R ANGKAIAN ELEKTRONIKA TATAP 4 JAM PELAJARAN Kompetensi Dasar : 3.1. Menerapkan FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
PERTAMA DIPERKENALKAN KOMPONEN ELEKTRONIKA ADALAH
LISTRIK ARUS SEARAH Pengertian u (t) = U1 = tetap v t1 t2 t3 t
DIODE Dioda adalah komponen elktronik yang dapat melewatkan arus listrik untuk bergerak dalam satu arah dari polaritas (+) ke polaritas (-) atau ke lainnya.
Rangkaian Arus Bolak-Balik. 10.1Rangkaian Hambatan Murni 10.2Rangkaian Hambatan Induktif Sebuah kumparan induktor mempunyai induktansi diri L dipasangkan.
UNIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
DIODA SEMIKONDUKTOR.
Sistem Komunikasi Serat Optik 12. Noise Photodetector
Transcript presentasi:

Kapasitansi Junction

Junction Capacitance Saat reverse bias muatan kedua sisi junction atau dengan Q berhubungan nonliner dengan VR.

Junction Capacitance Hubungan muatan Q dengan tegangan VR.

Junction Capacitance Sifat kapasitif adalah perbandingan perubahan muatan terhadap tegangan, untuk tegangan bias VQ (gambar di muka).

Junction Capacitance Kapasitansi saat tegangan bias nol Cj0. Dengan demikian kapasitansi juction dapat dituliskan

Junction Capacitance Penurunan di atas menggunakan model abrupt junction. Model ini cukup baik untuk penurunan hubungan arus tegangan. Untuk efek kapasitansi model graded junction kadang diperlukan untuk memperoleh besaran yang lebih baik m grading coefficient

Diffusion Capacitance Merujuk pada gambar, kelebihan muatan minoritas di area n adalah

Diffusion Capacitance Substitusi dengan persamaan sebelumnya diperoleh Besaran (Lp2/Dp) merupakan parameter devais menyatakan waktu rata-rata hole terinjeksi ke area n ber-rekombinasi atau transit time

Diffusion Capacitance Muatan minoritas elektron di area p Jumlah keseluruhan muatan Saat forward bias arus mengalir Jumlah muatan dapat didekati dengan tT rata-rata waktu transit

Diffusion Capacitance Incremental diffusion capacitance Kapasitansi difusi sebanding arus. oleh karena itu, hanya terasa untuk forward bias Kapasitansinya sebanding transit time sehingga untuk rangkaian frekuensi tinggi harus digunakan transit time rendah

Latihan Problem 1.67, 1.82