Rangkaian MOSFET DC
Contoh 5.3 Tentukan RD dan RS agar ID 0,4mA dan VD 0,5V. Transistor memiliki Vt 0,7V, unCox 100uA/V2, L 1um, W 32um dan l dapat diabaikan
Contoh 5.3 Dari ID 0,4mA dan VD 0,5V FET saturasi karena VDS > VGS-Vt
Contoh 5.3 Dari ID 0,4mA dan VS -1,2V
Contoh 5.4 Turunkan hubungan i-v rangkaian berikut Transistor saturasi karena VD=VG
Latihan 5.9 Tentukan R sehingga VD 0,8V. MOSFET memiliki Vtn 0,5V, unCox=0,4mA/V2, W/L=0,72um/0.18um, dan l=0 Pada MOSFET Pada resistor
Latihan 5.10 Gunakan hasil latihan 5.9, tentukan R2 sehingga Q2 pada batas saturasi Tegangan batas saturasi Arus pada Q1 dan Q2 karena tegangan VGS dama dan l=0.
Contoh 5.5 Tentukan RD bila kn’W/L 1mA/V2 dan Vtn 1V. Berapakan resistansi efektif antar drain dan source Transistor pada mode trioda karena Tegangan VGS = 5V sehingga arus Resistansi drain-source
Contoh 5.6 Tentukan arus dan tegangan rangkaian bila kn’W/L 1mA/V2 dan Vtn 1V, abaikan l.
Contoh 5.6 Ikuti no 1-6 Tegangan VGS Asumsi saturasi, arus Untuk tidak mungkin karena cut-off 1 2 3 4 5 6
Contoh 5.6 Untuk VDS > VGS-Vt asumsi benar
Contoh 5.7 Rancang agar transistor saturasi dengan arus 0,5mA dan VD 3V bila kp’W/L 1mA/V2 dan Vtn 1V, l dapat abaikan.
Contoh 5.7 Saturasi Dari nilai DC pilih Untuk nilai RD
Contoh 5.7 Batas saturasi atau Batas resistansi RD 4V 0,5mA
Contoh 5.8 NMOS dan PMOS berikut matched dengan kn’W/L=kp’W/L 1mA/V2 dan Vtn=-Vtp=1V. Anggap l=0, carilah arus drain iDN dan iDP dan tegangan vO untuk vI 0. +2.5, dan -2,5V
Contoh 5.8 Saat vI = 0V dengan transistor matched iDN = iDP sehingga vO = 0V
Contoh 5.8 Saat vI = +2,5V dengan transistor PMOS cut-off Transistor NMOS akan selalu mendapat VD negatif. Jadi vO=-2,45V (vO2 tidak memenuhi anggapan trioda)
Contoh 5.8 Saat vI = -2,5V dengan transistor NMOS cut-off Transistor PMOS akan selalu mendapat VD positif. Cara sama dengan sebelumnya dengan polatritas terbalik