Karakteristik Arus Tegangan

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Kinerja Kesalahan Sistem Biner
Advertisements

Op Amp Sebagai Penguat.
Percobaan 3 Penguat dengan umpan Balik
Model Dioda Bias Maju.
MENJELASKAN ATTENUASI GELOMBANG
Dioda Ideal.
Rangkaian MOSFET DC.
Operasi dan Pemodelan Sinyal Kecil
Rangkaian Penyearah.
Pengantar Analisis Rangkaian
Rangkaian RC tanpa sumber
Rangkaian RL tanpa sumber
Penggunaan BJT untuk Desain Penguat
Pemberian Bias MOSFET.
©2012 Mervin T Hutabarat Dioda PN Junction 1. Dioda Riil PN Junction Karakteristik terminal dioda junction Karakteristik terminal dioda junction –ada.
Rangkaian Penguat MOS Diskrit
Rangkaian Penguat BJT Diskrit
Analisis Penguat Sinyal Kecil
Penurunan Teorema Thevenin Pengantar Analisis Rangkaian.
Penguat Sinyal.
Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat
FET BIASING Analisis dc penentuan titik kerja (Q)
ANALISIS AC FET FET sebagai PENGUAT
Rangkaian Logika Digital CMOS
1 Pertemuan 2 Karakteristik Kelistrikan Gerbang MOSFET Matakuliah: H0362/Very Large Scale Integrated Circuits Tahun: 2005 Versi: versi/01.
Alat Bantu Analisis Frekuensi Tinggi Penguat
Rangkaian Logika Digital CMOS
Respons Frekuensi Tinggi CG
ORGANISASI DAN ARSITEKTUR KOMPUTER
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
Respons Frekuensi Tinggi CS dan CE
Bab 9 Respons Frekuensi.
Bab 8 Field Effect Transistor (FET)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
MOS –Controlled Thyristor (MCT)
MOSFET Struktur dan operasi fisik dari MOSFET jenis ‘enhancement’
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Pembiasan Pada Transistor JFET
Penguat Sinyal Kecil Transistor JFET
CONTOH RANGKAIAN FET Rangkaian Dasar Mixer Audio Dengan FET.
ELEKTRONIKA SEMIKONDUKTOR
Daerah Operasi Transistor
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
TRANSISTOR II.
Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & Prategangan
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Prodi D3 TeknIk Komputer
Transistors (MOSFETs)
Teorema Transfer Daya Maksimum
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
Bab 9 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
ELEKTRONIKA ANALOG Bab 1 Transistor Efek Medan
PERTEMUAN 3.
Field Effect Transistor (FET)
Pertemuan 2 – Pertemuan 4 ELEKTRONIKA ANALOG
Operational Amplifier
PERTEMUAN VI TRANSISTOR EFEK MEDAN
Operational Amplifier
Daerah Operasi Transistor
Op Amp Sebagai Penguat.
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
P ENERAPAN R ANGKAIAN ELEKTRONIKA TATAP 4 JAM PELAJARAN Kompetensi Dasar : 3.1. Menerapkan FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Percobaan 1 Tahap Akhir Penguat
1. Hitung Kurva Transistor 2. Umpan Balik Tegangan 3. Umpan Balik Arus
Transistor cut-off & saturasi
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
近十三年来的中国会计理论研究基本取向态势 ——基于2000~2012年间国家三大基金资助 会计类项目的统计分析与思考
Transcript presentasi:

Karakteristik Arus Tegangan

Potongan Melintang CMOS

Simbol MOSFET Simbol Kanal n enhancement Source terhubung singkat dengan Body

Karakteristik iD - vDS Daerah kerja: cut-off, trida, saturasi

Persamaan Arus

Batas Saturasi dan Trioda

Kurva iD vs VDS

Karakteristik iD vs vGS

Model Sinyal Besar Perhatian: Gambar di buku teks salah! Dalam keadaan saturasi

Efek vDS pada Panjang Kanal Penurunan panjang kanal efektif akibat vDS

Efek vDS pada iD Saturasi Kurva iD vs vDS dan resistansi output

Model Sinyal Besar dengan ro

Simbol MOSFET Kanal p enhancement

Karakteristik iD - vDS

Persamaan Arus

Batas Saturasi dan Trioda

Latihan 5.7 PMOSFET berikut memiliki Vtp=-1V, kp’=60uA/V2, dan W/L=10 Tentukan VG agar konduksi VD dalam besaran VG agar trioda VD dalam besaran VG agar saturasi Tentukan |VOV| dan VG untuk arus 75uA (asumsi l=0) Bila l=-0,02V-1, tentukan ro pada keadaan |VOV| di atas Bila l=-0,02V-1, tentukan ID pada VD +3V dan VD 0V.

Latihan 5.7 Konduksi Trioda Saturasi Arus 75uA

Latihan 5.7 Resistansi output Arus ID pada VD +3V Arus ID pada VD 0V