Karakteristik Arus Tegangan
Potongan Melintang CMOS
Simbol MOSFET Simbol Kanal n enhancement Source terhubung singkat dengan Body
Karakteristik iD - vDS Daerah kerja: cut-off, trida, saturasi
Persamaan Arus
Batas Saturasi dan Trioda
Kurva iD vs VDS
Karakteristik iD vs vGS
Model Sinyal Besar Perhatian: Gambar di buku teks salah! Dalam keadaan saturasi
Efek vDS pada Panjang Kanal Penurunan panjang kanal efektif akibat vDS
Efek vDS pada iD Saturasi Kurva iD vs vDS dan resistansi output
Model Sinyal Besar dengan ro
Simbol MOSFET Kanal p enhancement
Karakteristik iD - vDS
Persamaan Arus
Batas Saturasi dan Trioda
Latihan 5.7 PMOSFET berikut memiliki Vtp=-1V, kp’=60uA/V2, dan W/L=10 Tentukan VG agar konduksi VD dalam besaran VG agar trioda VD dalam besaran VG agar saturasi Tentukan |VOV| dan VG untuk arus 75uA (asumsi l=0) Bila l=-0,02V-1, tentukan ro pada keadaan |VOV| di atas Bila l=-0,02V-1, tentukan ID pada VD +3V dan VD 0V.
Latihan 5.7 Konduksi Trioda Saturasi Arus 75uA
Latihan 5.7 Resistansi output Arus ID pada VD +3V Arus ID pada VD 0V