Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat
Penguiat Tegangan Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan
VTC Saat input vGS kurang dari Vt FET cut-off Saat input vGS melampaui Vt FET arus mulai mengalir VD turun MOSFET masuk mode saturasi Saat input vGS naik dan vDS turun hingga vDS sama vOV MOSFET masuk mode trioda
Tegangan Bias untuk Penguat Linier Pilih titik kerja DC pada keadaan arus tidak ditentukan tegangan drain-source (saturasi)
Penguatan Tegangan Sinyal Kecil
Penguatan Tegangan Sinyal Kecil Bila vgs kecil maka vds dapat mendekati proposi dari vgs Penguatan di titik kerja penguatan negatif sebanding resistansi dan transkonduktansi Arus DC penguatan menjadi
Contoh 5.9 Penguat MOSFET mempunyai Vt 0,4V, kn’ 0,4mA/V2, W/L 10, dan l=0. Bila VDD 1,8V, RD 17,5kW, dan VGS 0,6V, tentukan VOV, ID, VDS, dan Av dan berapa swing maksimum simetri pada drain serta swing pada gatenya
Contoh 5.9 Arus drain DC Tegangan drain-source Penguatan
Contoh 5.9 Tegangan DC drain source VDS 0,4V dan VOV 0,2V maka agar MOSFET masih saturasi VDS minimum 0,2V atau magnituda swing output 0,2V Perhitungan amplituda tegangan swing input kasar Perhitungan lebih baik bila vgs diperhitungkan saat menentukan batas saturasi
Contoh 5.9 Perhitungan lebih teliti dari batas saturasi
VTC dengan Analisis Grafis Persamaan arus tegangan
Menentukan Tegangan Maksimum dan Minimum Batas tegangan output maksimum saat Cut-off Batas tegangan output maksimum saat Trioda
Menentukan Titik Kerja Q Untuk VGS sama Resistansi tinggi cenderung mendekati trioda Resistansi rendah cenderung mendekati cut-off