ANALISIS AC FET FET sebagai PENGUAT

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
KELOMPOK : 1.FUAD ILHAM 2.SUBIC JATI UTOMO 3.AFANDY AMIR 4.ZULASR.
Advertisements

Teknologi Dan Rekayasa
ELEKTRONIKA ANALOG Bab 2 BIAS DC FET Pertemuan 5 – Pertemuan 7
Transistor Sebagai Penguat
COMMON BASE AMPLIFIER.
Pemberian bias pada rangkaian BJT
Rangkaian MOSFET DC.
Operasi dan Pemodelan Sinyal Kecil
TRANSISTOR BIPOLAR Tiga daerah DOP
Operasi dan Model Sinyal Kecil
Analisis Langsung Penguat Sinyal Kecil pada Rangkaian
Pemberian Bias MOSFET.
Rangkaian Penguat MOS Diskrit
Analisis Penguat Sinyal Kecil
Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat
FET BIASING Analisis dc penentuan titik kerja (Q)
KULIAH 6: TRANSISTOR AMPLIFIER BIPOLAR
1 Pertemuan 1 PENDAHULUAN Matakuliah: H0072/Elektronika Terpadu Tahun: 2006 Versi: 1.
Respons Frekuensi Tinggi CG
ORGANISASI DAN ARSITEKTUR KOMPUTER
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
Mata kuliah Elektronika Analog
Pertemuan 7 FREQUENCY RESPONSE
Pengantar Rangkaian Transistor
Pertemuan 22 PRATEGANGAN PADA FET
Bab 8 Field Effect Transistor (FET)
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET)
MOSFET Struktur dan operasi fisik dari MOSFET jenis ‘enhancement’
SEMIKONDUKTOR.
Pembiasan Pada Transistor JFET
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Penguat Sinyal Kecil Transistor JFET
BAB 9 Analisis Sinyal Kecil AC FET
TRANSISTOR 2 TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2014/2015
ELEKTRONIKA SEMIKONDUKTOR
Bab 1 Respon Frekuensi By : Mohamad Ramdhani.
Mata kuliah Elektronika Analog
Transistor.
Mata kuliah Elektronika Analog
FET DAN MOSFET.
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
TRANSISTOR II.
BAB 7 Field Effect Transistor (FET)
Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & Prategangan
T R A N S I S T O R.
Analisis AC pada transistor BJT
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid П)
BAB 6 Analisis Sinyal Kecil AC BJT
Transistors (MOSFETs)
Analisis AC pada transistor BJT
Bab 12 Operational Amplifier (Op Amp)
FET (Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan
Bab 9 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid h)
OP-AMP YUSRON SUGIARTO.
FIELD EFFECT TRANSISTOR
Bab 10 JFET Analisis Sinyal ac Kecil
Pertemuan 2 SUMMING DAN NON INVERTING AMPLIFIER
Field Effect Transistor (FET)
PERTEMUAN VI TRANSISTOR EFEK MEDAN
Operational Amplifier
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Transistor.
Penguat frekuensi menengah CE
FET DAN MOSFET Bayu Prihatmoko / PPG PRAJABATAN 2017.
P ENERAPAN R ANGKAIAN ELEKTRONIKA TATAP 4 JAM PELAJARAN Kompetensi Dasar : 3.1. Menerapkan FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.
MERANCANG FET/MOSFET SEBAGAI PENGUAT DAN PIRANTI SAKLAR AGUS SAEFUDIN, S.Pd., M.Pd. NIP BIDANG STUDI KEAHLIAN TEKNOLOGI DAN REKAYASA.
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
UNIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Transcript presentasi:

ANALISIS AC FET FET sebagai PENGUAT

There are three basic FET amplifier configurations: common-source (CS), which provides good voltage amplification, is most frequently used common-drain (CD) or source-follower(SF), applied as buffer amplifiers (with high input impedance and near-unity voltage gain) common-gate (CG), applied high-frequency amplifiers,

Analisis AC pada Rangkaian JFET FET dapat dibuat rangkaian penguat sinyal kecil untuk penguatan tegangan pada impedansi input sangat tinggi. BJT mengontrol arus collector yang besar dari input arus basis yang lebih kecil (Ib  Ic ) sedangkan FET mengontrol output arus drain dari input tegangan gate source yang lebih kecil. (Vgs  Id) Rangkaian ekivalen ac FET lebih simpel dibandingkan BJT . Pada BJT dengan parameter β sedangkan FET dengan parameter gm (transkonduktansi).

Model Sinyal Kecil FET Tegangan gate ke source mengontrol arus drain source. (VGS) mengontrol ID. gm = perbandingan Arus drain source terhadap Tegangan gate source Persamaan Shockley :

Grafik Hubungan ID terhadap VGS

RANGKAIAN EKIVALEN AC FET Ada 2 Model yaitu Sumber tegangan Sumber arus Biar Gak bingung … kita gunakan model gm.Vgs

PENGUAT JFET COMMON SOURCE Resistansi Source tanpa rd

Common gate tanpa rd

Common gate dengan rd

Besarnya Zi ?

Enhancement MOSFET: E-MOSFET

Ada 2 MOSFET tipe enhancement (E-MOSFET) yaitu n-channel (nMOS) atau p-channel (pMOS) Hubungan antara arus output (ID) dan tegangan input (VGS) ditentukan oleh :

Analisis dc

Analisis AC

KONFIGURASI DRAIN FEEDBACK pada E-MOSFET ac equivalent circuit

Tetapi, jika Maka :

CONTOH SOAL E-MOSFET DRAIN FEEDBACK CONFIG Rangkaian E-MOSFET disamping mempunyai nilai k =0.24 x 10-3 A / V2 , VGSQ = 6.4V dan IDQ = 2.75mA (a). gm (b). rd (c). Zi , dengan dan tanpa rd (d). Zo , dengan dan tanpa rd (e). AV , dengan dan tanpa rd

Rangkaian ekivalen ac

Semoga Faham