Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.
Advertisements

Pertemuan 16 PERANCANGAN PENGUAT KELAS A
ELEKTRONIKA ANALOG Bab 2 BIAS DC FET Pertemuan 5 – Pertemuan 7
Rangkaian Dasar Transistor
Rangkaian Transistor Transistor dapat dihubungkan dengan 3 cara :
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Pemberian Bias Penguat BJT
Operasi dan Model Sinyal Kecil
Penggunaan BJT untuk Desain Penguat
Analisis Langsung Penguat Sinyal Kecil pada Rangkaian
Analisis Penguat Sinyal Kecil
Penguat Sinyal.
Prategangan Transistor
KULIAH 6: TRANSISTOR AMPLIFIER BIPOLAR
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Pertemuan 3 Mencari Titik Berat Penampang Majemuk
Pertemuan 7 FREQUENCY RESPONSE
Pertemuan 23 Metode Unit Load
Pertemuan 17 DAYA PADA PENGUAT KELAS A
Pengantar Rangkaian Transistor
Pertemuan 22 PRATEGANGAN PADA FET
Pertemuan 10 SCHMITT TRIGGER
Pertemuan 5 Balok Keran dan Balok Konsol
Fungsi Logaritma Pertemuan 12
1 Pertemuan 5 PPh PASAL 21 Matakuliah: A0572/ Perpajakan Tahun: 2005 Versi: Revisi 1.
Pertemuan 10 Gaya – gaya dalam
Mengambar kurva fungsi linier Pertemuan 4
Fungsi Eksponensial Pertemuan 11 Matakuliah: J0174/Matematika I Tahun: 2008.
1 Pertemuan 9 Gaya Horisontal Matakuliah: S0512 / Perancangan Struktur Baja Lanjut Tahun: 2006 Versi: 1.
Pertemuan 21 Tegangan Geser, Lentur dan Normal
Matakuliah : R0022/Pengantar Arsitektur Tahun : Sept 2005 Versi : 1/1
Pertemuan <<9>> <<STRESS VS STRAIN>>
1 Pertemuan 7 Diferensial Matakuliah: R0262/Matematika Tahun: September 2005 Versi: 1/1.
Matakuliah : R0262/Matematika Tahun : September 2005 Versi : 1/1
MATA KULIAH ELEKTRONIKA 2
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Matakuliah : K0074/Kalkulus III Tahun : 2005 Versi : 1/0
Daerah Operasi Transistor
Pertemuan 24 Metode Unit Load
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Pertemuan 19 Besaran dan Sifat Batang (Secara Grafis)
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid П)
Pertemuan 8 Anatomi Bangunan 2
Pertemuan 3 APLIKASI OP-AMP
Matakuliah : R0262/Matematika Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Pertemuan 17 Tegangan Lentur dengan Gaya Normal yang bekerja Sentris
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
KRITERIA DESAIN, STANDAR DESAIN, DAN METODE ANALISIS PERTEMUAN 6
Pertemuan 3 JENIS-JENIS DIODA
Matakuliah : S0024/Mekanika Bahan Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Pertemuan 20 PENGUAT DAYA KELAS C
Pertemuan 11 Struktur Pelengkung 3 Sendi
Matakuliah : K0074/Kalkulus III Tahun : 2005 Versi : 1/0
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Matakuliah : I0014 / Biostatistika Tahun : 2005 Versi : V1 / R1
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid h)
Hukum Ohm dan Hukum Kirchoff
Pertemuan 14 PENGUAT DARLINGTON
Pertemuan 9 Algoritma Program Analisis Balok
Pertemuan 3 Diferensial
Matakuliah : R0262/Matematika Tahun : September 2005 Versi : 1/1
Pertemuan 19 Tegangan Lentur dengan Gaya Normal yang bekerja Eksentris
Pertemuan 2 SUMMING DAN NON INVERTING AMPLIFIER
Pertemuan 6 DIferensial
Pertemuan 6 CLIPPING DAN CLAMPING
Pertemuan 10 Komputer dan komunikasi informasi melalui internet
Daerah Operasi Transistor
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
Transcript presentasi:

Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR Matakuliah : H0014/Elektronika Diskrit Tahun : 2005 Versi : 1 Pertemuan 9 GARIS BEBAN TRANSISTOR

Menerangkan mengenai pengertian garis beban DC. Learning Outcomes Pada akhir pertemuan ini, diharapkan mahasiswa akan mampu : Menerangkan mengenai pengertian garis beban DC.

Ekivalen DC dari transistor. Titik saturasi dan titik putus. Outline Materi Ekivalen DC dari transistor. Titik saturasi dan titik putus. Garis beban DC.

EKIVALEN DC TRANSISTOR

EKIVALEN PENGUAT

PERSAMAAN KIRCHOFF Putus, IC = 0  VCE(cutoff) = VCC -VBB + IB RB + VBE = 0 ( 1 ) -VEE + IC RC + VCE = 0 ( 2 ) Putus, IC = 0  VCE(cutoff) = VCC

GARIS BEBAN DC

SATURATE, CUTOFF, Q POINT

KURVA KOLEKTOR

CONTOH 1 Diketahui transistor pada gambar di atas mempunyai DC = 100. Gambarkan garis beban DC dan tentukanlah letak dari titik Q.

JAWAB VCE(cutoff) = VCC = 10 V Arus dan tegangan di titik Q. ICQ = .IB = 100 . 4,3 A ICQ = 430 A VCEQ = VCC – IC.RC VCEQ = 10 – ( 430 A ).5 K VCEQ = 10 – 2,15 VCEQ = 7,85 volt

CONTOH 2 Tentukanlah garis beban DC dan besarnya arus dan tegangan di titik Q pada rangkaian dibawah ini.

JAWAB VCC = IC RC + VCE + IE RE VCC = IC ( RC + RE ) + VCE Arus dan tegangan di titik Q VBB = VBE + IE RE