Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

Presentasi sedang didownload. Silahkan tunggu

1 FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknologi Industri UNIVERSITAS GUNADARMA Bahan Kuliah Elektronika Analog.

Presentasi serupa


Presentasi berjudul: "1 FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknologi Industri UNIVERSITAS GUNADARMA Bahan Kuliah Elektronika Analog."— Transcript presentasi:

1 1 FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknologi Industri UNIVERSITAS GUNADARMA Bahan Kuliah Elektronika Analog

2 2 Field Effect Transistor - FET Mengapa kita masih perlu transistor jenis lain? BJT mempunyai sedikit masalah. BJT selalu memerlukan arus basis I B, walaupun arus ini kecil, tetapi tidak bisa diabaikan, terutama sekali saat BJT digunakan sebagai saklar, pasti dibutuhkan arus yang cukup besar untuk membuat transistor jenuh.

3 3 Field Effect Transistor - FET Apakah ada jenis transistor lain yang bisa digerakkan dengan tegangan tanpa membutuhkan arus ? Jawabannya ada di FET. Dengan perantaraan FET, kita dapat menghubungkan peralatan komputer atau transduser yang tidak bisa menghasilkan arus, dengan alat yang lebih besar. FET bisa digunakan sbg buffer, sehingga tidak membutuhkan arus dari komputer/trasduser. Teknologi modern pembuatan IC, dimensi transistor FET bisa dibuat sangat kecil, sehingga pembuatan IC saat ini berdasarkan transistor FET ini.

4 4 Field-Effect Transistors Field-Effect Transistor (FET) adalah piranti tiga-terminal seperti halnya transistor BJT. Perbedaan utama dari kedua transistor ini adalah bahwa BJT adalah piranti yang dikontrol oleh arus, sedangkan FET adalah piranti yang dikontrol tegangan.

5 5 BJT ICIC IBIB (kontrol arus) FET IDID + - V GS (kontrol tegangan) Field-Effect Transistors

6 6 Bipolar device BJT FETUnipolar device Dua carrier : elektron & holes Satu carrier : elektron (n-channel) atau holes (p-channel)

7 7 FET vs BJT BJT Base ( B ) Collector ( C ) Emitter( E ) Base current Collector current Collector-Emitter Voltage FET Gate ( G ) Drain( D ) Source( S ) Gate Voltage Drain current Drain-source voltage

8 8

9 9 FET V DS V GS IDID ISIS Parameter FET : I D, V GS, V DS. Dasar pemikiran FET: Ada arus I D = I S yang mengalir melalui saluran, yang besarnya saluran dikendalikan oleh tegangan V GS. Karena arus lewat saluran (yang berupa hambatan) maka ada tegangan V DS.

10 10 Junction FETs

11 11 Rangkaian Dasar JFET tipe n

12 12 n-Channel FET for v GS = 0.

13 13 Kurva Karakteristik I D dan V DS dimana V GS = 0 ; V DS (+) I DSS : arus drain- source maksimum (saturasi). Terjadi Pada V GS = 0 dan V DS > |V P | Vp = Tegangan Pinch-off atau Vto (teg. Threshold) adalah tegangan drain dimana di atas tegangan ini arus drain menjadi konstan.

14 14 Kurva Karakteristik I D dan V DS untuk berbagai nilai V GS

15 15 Karakteristik Transfer menunjukkan hubungan nilai V GS, I D, dan V DS Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh rangkaian V GS IDID

16 16 Menggambar Kurva Transfer ( Mencari perbandingan nilai Id terhadap Vgs) Persamaan SHOKLEY Cari 4 buah titik : I D = 0 I D = I DSS /2 I D = I DSS /4 I D = I DSS

17 17 Soal Sket Kurva Katakteristik JFET dengan I DSS = 12 mA dan V P = - 6V I D = 12 mAV GS = 0 V I D = 0 mA V GS = Vp = - 6V I D = I DSS /2 = 6 mA I D = I DSS /4 = 3 mA V GS = 0.3 V P = -1.8 V V GS = 0.5 V P = -3 V

18 18

19 19 Kerjakan soal berikut : Sket Kurva JFET p-channel dengan IDSS = 4 mA dan VP = 3 V Catt: pada JFET tipe p, Vp nilainya positif.

20 Jawaban kurva halaman 27 20


Download ppt "1 FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknologi Industri UNIVERSITAS GUNADARMA Bahan Kuliah Elektronika Analog."

Presentasi serupa


Iklan oleh Google