Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & Prategangan By : M. Ramdhani
Perbedaan FET dan BJT BJT Bipolar device (dua carrier : elektron dan hole) FET Unipolar device (satu carrier : elektron / kanal n atau hole / kanal p)
Struktur FET FET JFET (Junction FET) JFET kanal n JFET kanal P MOSFET (Metal Oxide Semiconduktor FET) Depletion Mode Enhancement Mode
JFET kanal n
JFET kanal n
Jika G-S tidak diberikan bias (VGS=0) maka deplesi hanya pada sambungan PN saja masih ada celah kanal n maka dengan hanya memberikan D-S tegangan kecil (VDS kecil) maka arus drain (ID) mengalir Jika VDS dinaikkan terus saat VGS=0, maka VDS= VDG dimana tipe p hole-nya pada G ditarik oleh tegangan negatif sehingga deplesi semakin mengecil kanal membesar akan didapatkan ID konstan. Jika terus dinaikkan, akan dicapai saluran diapit oleh daerah deplesi pada daerah sekitar Drain, yang nilainya sama dengan bias balik VDG= - VP VDS = VDG + VGS = VDG + 0 = VDG
Kenaikkan lebih lanjut tidak akan merubah bentuk saluran ID tetap konstan pada nilainya yang dicapai saat VDS= - VP Jika VGS dinaikkan maka deplesi semakin melebar dan suatu saat didapatkan arus drain sama dengan nol dan saat itulah dikatakan VGS=Vp tegangan pinch off
Kurva karakteristik Drain
Kurva karakteristik Drain Daerah Ohmic/ trioda
Kurva karakteristik Drain Daerah aktif/pinch off/saturasi
Daerah Ohmic/Trioda
Daerah Aktif/ Pinch Off VDG=VDS+VSG=VDS-VGS VDS=VDG+VGS=VGS-VP
Kurva Transfer Tegangan minimum GS yang diberikan atau tegangan reverse maksimum yang mengakobatkan ID = 0 disebut Vp Nilai ID maksi sebelum nilai tegangan GS positif atau tega revers negatif disebut IDSS
JFET Kanal p
JFET kanal p
Prategangan JFET Input ac diganti tahanan dalam Kapasitor open circuit
Konfigurasi Prategangan Tetap
Konfigurasi Prategangan Tetap
Konfigurasi Prategangan Sendiri
Konfigurasi Prategangan Sendiri
Konfigurasi Pembagi Tegangan
Konfigurasi Pembagi Tegangan