KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR

Slides:



Advertisements
Presentasi serupa
Jenis Transistor 1. Transistor npn : terdiri dari sebuah semikonduktor tipe-p (tipis) yang disisipkan diantara dua semikonduktor tipe n. E n p n C E C.
Advertisements

Rangkaian Elektronika
KELOMPOK : 1.FUAD ILHAM 2.SUBIC JATI UTOMO 3.AFANDY AMIR 4.ZULASR.
ELEKTRONIKA Bab 7. Pembiasan Transistor
Sistem Kendali Elektronik
(BIJUNCTION TRANSISTOR)
Rangkaian Dasar Transistor
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Elektronika 1 (Minggu 7) Transistor Bipolar.
KULIAH 3 HUBUNGAN -PN Pembentuka Hubungan p-n
transistor Nama Kelompok : 1. Puspa Rizky Trisnaningtyas
SEMI KONDUKTOR setengah penghantar (konduktivitasnya berada antara konduktor dan isolator) terdapat pada kolom IV dari sistem periodik; Contoh: silikon.
Devais Dasar PNPN.
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Pemberian Bias Penguat BJT
KELOMPOK : 1.FUAD ILHAM 2.SUBIC JATI UTOMO 3.AFANDY AMIR 4.ZULASR.
Perilaku Junction PN.
Diode Diode Diode adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 1 buah junction, sering disebut sebagai komponen 2 lapis (lapis N dan P) dan.
Analisis Penguat Sinyal Kecil
ELEKTRONIKA DASAR T.ELEKTRO.
KULIAH 6: TRANSISTOR AMPLIFIER BIPOLAR
Kuliah 5b. Model Signal Kecil npn - BJT Dan Pnp BJT
FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET)
KULIAH 4. DIODA HUBUNGAN-pn
Mata kuliah Elektronika Analog
Pengantar Rangkaian Transistor
TRANSISTOR Dwi Sudarno Putra.
Bab 8 Field Effect Transistor (FET)
MOS –Controlled Thyristor (MCT)
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Sistem Digital.
Bahan Kuliah ELEKTRONIKA DASAR pertemuan ke 7
Bipolar Junction Transistor (BJT)
ELEKTRONIKA LANJUT TK34205(2 SKS)
CONTOH RANGKAIAN FET Rangkaian Dasar Mixer Audio Dengan FET.
MIKROELEKTRONIKA Dioda Semikonduktor uigm.
ELEKTRONIKA SEMIKONDUKTOR
BAB 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
Penguat-Penguat Emitor Sekutu Transistor BJT
Mata kuliah Elektronika Analog
THYRISTOR.
Transistor.
Mata kuliah Elektronika Analog
FET DAN MOSFET.
TRANSISTOR EFEK MEDAN.
Bab 9 Junction Field Effect Transistor (JFET) & Prategangan
SEKOLAH TINGGI TEKNIK TELEMATIKA TELKOM
Transistor Bipolar Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan (junction). Sambungan itu  membentuk transistor PNP maupun NPN. Transistor ini disebut.
T R A N S I S T O R.
Analisis AC pada transistor BJT
Prodi D3 TeknIk Komputer
Bab 6 Pemodelan BJT dan Analisis Sinyal Kecil ac (Hybrid П)
Transistor Gabriel Sianturi MT.
Oleh : Unang Sunarya, ST.,MT
Analisis AC pada transistor BJT
Bab 2 Sambungan PN dan Dioda
Dioda Semikonduktor.
Field Effect Transistor (FET)
T R A N S I S T O R BJT (Bipolar junction transistor)
Transistor.
Penguat frekuensi menengah CE
Pertemuan VI Pra Tegangan Transistor BJT
P ENERAPAN R ANGKAIAN ELEKTRONIKA TATAP 4 JAM PELAJARAN Kompetensi Dasar : 3.1. Menerapkan FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.
WAIT LOADING... SMK NEGERI 2 SRAGEN 2011 SMK NEGERI SEKIAN - SEKIAN.
ELEKTRONIKA 1 Bab 8 Transistor
Bab 4 Bipolar Junction Transistor (BJT)
UNIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR
Setiap analisis jaringan yang paling penting adalah hubungan dasar dari transistor yaitu
PENGUKURAN KOMPONEN ELEKTRONIKA DENGAN MULTIMETER ALAT UKUR LISTRIK PENDIDIKAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN IPA 2018.
 Sebagai penguat arus, tegangan dan daya (AC dan DC)  Sebagai penyearah  Sebagai mixer  Sebagai Penyetabil Tegangan  Sebagai Sirkuit Pemutus / Penyambung.
Transcript presentasi:

KULIAH 5: TRANSISTOR BIPOLAR Struktur Fisik Transistor Bipolar Karakteristik Terminal Arus Terminal Aktif Forward Penguat Arus Aktif Forward Model Ebers-Moll (cont.)

Struktur Fisik Transistor Bipolar Terdapat Dua jenis Transistpr bipolar: NPN BJT PNP BJT NPN BJT: Daerah Emiter : lapisan tipe n yang dihubungkan dengan lapisan polysilicon n+. Daerah Basis : Lapisan p Daerah Kolektor : Lapisan n Simbol Rangkaian Transistor

Karakteristik Terminal Daerah Operasi BJT npn dan pnp Karakteristik BJT npn Daerah arus konstan disebut Forward active, (F = Penguat arus forward): Daerah tegangan konstan disebut saturasi

Karakteristik Terminal (cont) Cut-off terjadi jika : IB = 0, sehingga IC = 0 Untuk F = 100 (gambar disamping) IC bertambah jika VCE bertambah VCE < 0 IC Negatif Penguat arus aktif reverse (R) R = IE/IB. dan, - IC = IE + IB = (R +1) IB . Gambar disamping untuk R = 3

Arus Terminal Aktif Forward Fisik BJT satu dimensi (arah X): Pembawa minoritas pada seimbang-panas (emiter,basis dan Kolektor): Potensial elektrostatis & konsentrasi pembawa minoritas (cm-3): NdE =1019, NaB=1017, NdC=1016.

Penguat Arus Aktif Forward Arus Kolektor = Rapat Arus difusi elektron x Luas Emiter Arus Basis = Rapat arus difusi hole x Luas Emiter Arus Emiter ( IE ) = - ( IB+IC ) Perbandingan Arus Kolektor dan Magnitude arus emiter : Untuk, NdE =1019, NaB=1017, NdC=1016. Karena,

Penguat Arus Aktif Forward ( cont) Maka: Daerh saturasi terjadi pada : Sifat dari keadaan ini, menunjukan hubungan emiter-basis dan basis-kolektor dalam bias forward. Arus difusi elektron terpisah dalam dua komponen yaitu: hubungan emiter-basis dan basis-kolektor Hubungan tersebut adalah:

Model Ebers-Moll Arus difusi Elektron : Arus emiter terdiri dari 3 komponen: 1. -I1 yang disebabkan injeksi elektrron dari hubungan emiter-basis 2. -I1 /F yang disebabkan injeksi balik dari hole ke emiter. 3. I2, yang disebabkan kumpulan elektron dari hubungan basis -kolektror Atau dapat dinyatakan: Arus kolektor terdiri dari 3 komponen: 1. -I2 yang disebabkan injeksi elektrron dari hubungan basis- kolektor 2. -I2 /R yang disebabkan injeksi balik dari hole ke kolektor. 3. I1, yang disebabkan kumpulan elektron dari hubungan emiter-basis

Model Ebers-Moll (cont.) Atau dapat dinyatakan: Di mana penguat arus revers, Bentuk standar dari persamaan Ebers-Moll didefinisikan dari 2 komponen: sehingga arus Emitter: Dan arus kolektor Arus kolektor dan emiter merepresentasikan dua buah dioda dengan pengendali sumber arus yang menggandengkan emiter dan kolektor Bentuk equivalen dari rangkaian Ebers-Moll, dengan:

Model Ebers-Moll (cont.) Model aktive-Forward:

Model Ebers-Moll (cont.) Bentuk equivalennya: Ganti Diaoda bias-forward dengan battere 0,7 V.