FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) Bahan Kuliah Elektronika Analog FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknologi Industri UNIVERSITAS GUNADARMA

Field Effect Transistor - FET Mengapa kita masih perlu transistor jenis lain? BJT mempunyai sedikit masalah. BJT selalu memerlukan arus basis IB, walaupun arus ini kecil, tetapi tidak bisa diabaikan, terutama sekali saat BJT digunakan sebagai saklar, pasti dibutuhkan arus yang cukup besar untuk membuat transistor jenuh.

Field Effect Transistor - FET Apakah ada jenis transistor lain yang bisa digerakkan dengan tegangan tanpa membutuhkan arus ? Jawabannya ada di FET. Dengan perantaraan FET, kita dapat menghubungkan peralatan komputer atau transduser yang tidak bisa menghasilkan arus, dengan alat yang lebih besar. FET bisa digunakan sbg buffer, sehingga tidak membutuhkan arus dari komputer/trasduser. Teknologi modern pembuatan IC, dimensi transistor FET bisa dibuat sangat kecil, sehingga pembuatan IC saat ini berdasarkan transistor FET ini.

Field-Effect Transistors Field-Effect Transistor (FET) adalah piranti tiga-terminal seperti halnya transistor BJT. Perbedaan utama dari kedua transistor ini adalah bahwa BJT adalah piranti yang dikontrol oleh arus, sedangkan FET adalah piranti yang dikontrol tegangan.

Field-Effect Transistors BJT IC IB (kontrol arus) FET ID + - VGS (kontrol tegangan)

BJT Bipolar device Dua carrier : elektron & holes FET Unipolar device Satu carrier : elektron (n-channel) atau holes (p-channel)

FET vs BJT BJT FET Base (B) Gate (G) Collector (C) Drain(D) Emitter (E) Base current Collector current Collector-Emitter Voltage FET Gate (G) Drain(D) Source(S) Gate Voltage Drain current Drain-source voltage

FET VDS VGS ID IS FET Parameter FET : ID, VGS, VDS. Dasar pemikiran FET: Ada arus ID = IS yang mengalir melalui saluran, yang besarnya saluran dikendalikan oleh tegangan VGS. Karena arus lewat saluran (yang berupa hambatan) maka ada tegangan VDS.

Junction FETs

Rangkaian Dasar JFET tipe n

n-Channel FET for vGS = 0.

Kurva Karakteristik ID dan VDS dimana VGS = 0 ; VDS (+) IDSS : arus drain-source maksimum (saturasi). Terjadi Pada VGS = 0 dan VDS > |VP| Vp = Tegangan Pinch-off atau Vto (teg. Threshold) adalah tegangan drain dimana di atas tegangan ini arus drain menjadi konstan.

Kurva Karakteristik ID dan VDS untuk berbagai nilai VGS

Karakteristik Transfer menunjukkan hubungan nilai VGS, ID, dan VDS Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh rangkaian ID VGS

Menggambar Kurva Transfer (Mencari perbandingan nilai Id terhadap Vgs) Persamaan SHOKLEY Cari 4 buah titik : ID = 0 ID = IDSS/2 ID = IDSS/4 ID = IDSS

Soal Sket Kurva Katakteristik JFET dengan IDSS = 12 mA dan VP = - 6V ID = 12 mA VGS = 0 V ID = 0 mA VGS = Vp = - 6V ID = IDSS/2 = 6 mA VGS = 0.3 VP = -1.8 V ID = IDSS/4 = 3 mA VGS = 0.5 VP = -3 V

Kerjakan soal berikut : Sket Kurva JFET p-channel dengan IDSS = 4 mA dan VP = 3 V Catt: pada JFET tipe p, Vp nilainya positif.

Jawaban kurva halaman 27